{"html": "

a. Urządzenia do testowania wibracyjnego, w których zastosowano techniki sprzężenia zwrotnego lub techniki sterowania w ukła­ dzie zamkniętej pętli, wyposażone w sterowniki cyfrowe, przystosowane do wymuszania wibracji o średniej wartości kwadratowej 10 g lub większej w całym zakresie od 20Hz do 2000 Hz, i działające z siłami rzędu 50 kN (11,250 funtów), mierzonymi \"stół bez utwierdzenia\", lub większymi;

\n

Urządzenia lączące funkcje wyoblania i ttoczenia ksztattowego są dla potrzeb pozycji 28009 traktowane jako urządzenia do ttoczenia ksztattowego.

\n

2B104 Środki do sterowania urządzeniami i przebiegiem procesu skonstruowane lub zmodyfikowane pod kątem zagęszczania i pirolizy dysz rakietowych z kompozytów strukturalnych oraz końcówek na krawędziach natarcia pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi .

\n

UWAGA: Jedynym i \" prasami izostatycznymi\" i piecami ujętymi w pozycji 28104 są: a. \" Prasy izostatyczne \", różne od uję­ tych w pozycji 28004, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

\n
1.Maksymalne ciśnienie robocze 69 MPa lub większe;
\n
2.Skonstruowane w taki sposób, że są w stanie osiągnąć i utrzymać środowisko o regulowanych parametrach termicznych rzędu 873 K (600 °C) lub więk­ szych; oraz 3. Posiadają komorę o średnicy wewnętrznej 254 mm lub więk­ szej; b. Piece do chemicznego osadzania par, skonstruowane lub zmodyfikowane pod kątem zagęszczania kompozytów węgiel- węgiel.
\n

2B109 Maszyny do tłoczenia kształtowego różne od wymienionych w pozycji 2B009 oraz specjalnie opracowane do nich elementy, które:

\n

N.B.: sprawdź także pozycję 2B209. l Poz. 915 b. Sterowniki cyfrowe współpracujące ze specjalnie opracowanym oprogramowaniem do badań wibracyjnych, cechujące się pasmem przenoszenia informacji w czasie rzeczywistym powyżej 5 kHz, opracowane pod kątem zastosowania w wymienionych w pozycji 2Bl16.a. urządzeniach do badań wibracyjnych; c. Mechanizmy do wymuszania wibracji (wstrząsarki) wyposażone, albo nie, wodpowiednie wzmacniacze, wymuszające siłę 50 kN (11 250 funtów), mierzoną \"bez utwierdzenia\", lub większą, i używane w wymienionych w pozycji 2B116.a. urządze­ niach do badań wibracyjnych; d. Elementy nośne do próbek badawczych i urządzenia elektroniczne opracowane pod kątem łączenia wielu wstrząsarek w kompletny system do wstrząsania, umożliwiają­ cy uzyskanie łącznej siły skutecznej 50 kN, mierzonej \" stół bez utwierdzenia\", lub więk­ szej, i nadające się do stosowania we wspomnianych w pozycji 2Bl16.a. urządzeniach do badań wibracyjnych.

\n

UWAGA: W pozycji 28116 przez pojęcie \"stóf bez utwierdzenia\" należy rozumieć plaski stóf albo powierzchnię, bez uchwytów i elementów mocują­ cych.

\n

Dziennik Ustaw Nr 142 28201 - 5023- Poz. 915 Następujące obrabiarki, rozne od wymienionych w pozycji 28001 , do skrawania lub cięcia metali, materiatów ceramicznych lub \" kompozytowych\" , które wedtug specyfikacji techn icznej producenta mogą być wyposażone w urzą­ dzenia elektroniczne do jednoczesnego \"sterowan ia ksztattowego \" w dwóch lub więcej osiach: korzystywana do utrzymywania tarczy szlifierskiej w potożeniu normalnym do obrabianej powierzchni, a oś a jest sterowana w celu szlifowania walcowych krzywek bębnowych. c. Szlifierek obrabiających lub tną­ cych z \" oprogramowaniem\" specjalnie przeznaczonym do produkcji narzędzi lub noży do obróbki. a. Frezarki mające jedną z poniżej wymienionych cech charakterystycznych:

\n
1.\"Doktadność ustalania potożenia\", z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, większą (lepszą) niż 6 !lm wzdtuż dowolnej osi liniowej (catkowite ustalenie potożenia); lub 2. Dwie lub więcej konturowe osie obrotu;
\n

UWAGA: Pozycja 28201 .a. nie obejmuje kontrolą frezarek mających następujące cechy charakterystyczne: a. Roboczą dtugość osi x większa niż 2 m; oraz d. Szlifierek do watów korbowych i rozrządczych.

\n

28204 \"Prasy izostatyczne\", różne od ujętych w pozycjach 28004 lub 28104, zdolne do osiągnięcia maksymalnego ciśnienia roboczego 69 MPa lub większego i posiadające komorę o średnicy wewnętrznej 152 mm oraz specjalnie do nich skonstruowane matryce, formy i zespoty sterujące.

\n

Uwaga techniczna:

\n

Wewnętrzny wymiar komory jest to wymiar komory, w której zostaty osiągnięte zarówno temperatura robocza, jak i ciśnienie robocze, i nie obejmuje osprzętu. Jest to mniejszy z dwóch wymiarów: wewnętrznej średnicy komory ciśnieniowej lub wewnętrznej średnicy izolowanej komory piecowej, w zależności od tego, która z komór jest umieszczona wewnątrz drugiej. b. Doktadność catkowitego ustalenia potożenia wzdtuż osi x większą (gorszą) niż 0,030 mm. b. Szlifierki mające jedną z poniżej wym ienionych cech charakterystycznych:

\n
1.\"Doktadność ustalania potożenia\", z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji , większą (lepszą) niż 0,004 mm wzdtuż dowolnej osi liniowej (catkowite ustalenie potożenia); lub 2. Dwie lub więcej konturowe osie obrotu;
\n

UWAGA: Pozycja 28201.b. nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek: a. Szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno - we ­ wnętrznego szlifowania cylindrów, posiadających wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

\n
1.Ograniczenie do szlifowania powierzchni cylindrycznych;
\n
2.Maksymalną zewnętrzną średnicę albo dtugość roboczą przedmiotu obrabianego wynoszącą 150 mm;
\n
3.Posiadanie nie więcej niż dwu osi , które mogą być jedkoordynowane noczesme w celu \"sterowania ksztaftowego \"; oraz 4. 8rak konturowej osi c. b. Szlifierek wspótrzędnościowych z osiami ograniczonymi do x, y, c i a, gdzie oś c jest wy- 28206 Następujące maszyny, urządzenia lub systemy do kontroli wymiarowej, różne od wymienionych w pozycji 28006: a. Sterowane komputerowo lub \"sterowane numerycznie\" maszyny do kontroli wymia rowej posiadające obie z poniższych cech charakterystycznych:
\n
1.Dwie lub więcej osi; oraz 2. \"Niepewność pomiarową\" wzdtuż jednej z osi równą lub mniejszą (lepszą) niż (1,25 + LJ1000) mikrometra, mierzoną czujnikiem o \"doktadności\" mniejszej (lepszej) niż 0,2 mikrometra ( L jest dtugością mierzoną w mm); b. Systemy do jednoczesnej liniowo - kątowej kontroli pótpowtok, posiadające obie z poniższych cech charakterystycznych:
\n
1.\"Niepewność pomiarową\" wzdtuż dowolnej osi liniowej mniejszą (lepszą) niż 3,5 mikrometra na 5 mm; oraz 2. \"Odchylenie potożenia kątowego\" równe lub mniejsze niż 0,02°.
\n

Uwaga techniczna:

\n
1.Obrabiarki, które można wykorzystać do celów pomiarowych, są objęte kontrolą, jeżeli spetniają albo wykraczają poza kryteria , Dziennik Ustaw Nr 142 - 5024 - określone dla funkcji obrabiarek lub funkcji maszyny pomiarowej.
\n
2.Maszyna opisana w pozycji 28206 jest obję ­ ta kontrolą, jeżeli jej parametry w jakimkolwiek zakresie eksploatacji wykraczają poza wartości graniczne dla maszyn objętych kontrolą· 3. Czujniki używane do określania \"niepewno ści pomiarowej\" systemów do kontroli wymiarowej są opisane w częściach 2, 3 i 4 VOINOE 2617.
\n

28207 \"Roboty\" i \"manipulatory\" , różne od ujętych w pozycji 28007, specjalnie skonstruowane zgodnie z krajowymi normami bezpieczeństwa stosowanymi do man ipulowania kruszącymi materiałami wybuchowymi (na przykład speł­ niające warunki ujęte w przepisach elektrycznych stosowanych w odniesieniu do kruszą ­ cych materiałów wybuchowych) oraz specjal nie do nich skonstruowane sterowniki.

\n

28209 gą one mieć sterowanie mechaniczne oraz przez joystick lub klawiaturę.

\n

28226 Piece indukcyjne próżniowe lub z regulowaną atmosferą (gaz obojętny) zdolne do pracy w temperaturach powyżej 1123 K (850°C) wyposażone w cewki indukcyjne o średnicy 600 mm lub mniejszej, charakteryzujące się poborem mocy 5 kW lub większym , oraz specjalnie skonstruowane instalacje do ich zasilania o wydajności nominalnej 5 kW lub większej.

\n

N.8.: sprawdź także pozycje 38.

\n

UWAGA: Pozycja 28226 nie obejmuje kontrolą pieców przeznaczonych do przetwarzania ptytek pófprzewodnikowych.

\n

28227 a. lukowe piece do przetapiania i odlewania, wyposażone w elektrodę topliwą, o pojemności od 1000 cm 3 do 20 000 cm 3 , zdolne do pracy w temperaturach topnienia powyżej 1973 K (1700°C); go lub maszyny do wyoblania kszta łtowego mające możliwość realizacji funkcji tłoczenia kształtowego, różne od wymienionych w pozycjach 28009 lub 28109, lub trzpienie: b. Piece do topienia wiązką elektronów oraz plazmowe piece do atomizacji i topienia, o mocy 50 kW lub większej, zdolne do pracy w temperaturach topnienia powyżej 1473 K (1200°C). a. 1. Mające trzy lub więcej wałki (aktywne lub prowadzące); oraz 2. Zgodnie ze specyfikacją techniczną produ - b. Trzpienie do formowania wirników skonstruowane z przeznaczeniem do formowania wirników o średnicy wewnętrz nej od 75 mm do 400 mm:

\n

Uwaga techniczna:

\n

Pozycja 28209 obejmuje maszyny mające tylko pojedynczy watek do deformowania metalu oraz dwa pomocnicze watki podtrzymujące trzpień, ale nie uczestniczące bezpośrednio w procesie deformacji.

\n

28225 Następujące zdalnie sterowane manipulatory, które mogą być stosowane do zdalnego wykonywania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz do wykonywania prac w komorach gorących: a. Posiadające możliwość wykonywania operacji przez śc i anę osłonową komory gorącej o grubości 0,6 m lub więcej (dla operacji wykonywanych przez ścianę); lub b. Posiadające możliwość wykonywania operacji ponad górną krawędzią ściany osłonowej komory gorącej (tzw. mostkowania) o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych ponad ścianą).

\n

UWAGA: Zdalnie sterowane manipulatory przeksztatcają dziatanie cztowieka na ramię robocze i uchwyt końcowy. Mo- Następujące piece metalurgiczne i odlewnicze, próżniowe i z regulowaną atmosferą; oraz spe- cjalnie do nich opracowane komputerowe instalacje do sterowania i śledzenia przebiegu procesów:

\n

Następujące maszyny do tłoczenia kształtowe ­ centa mogą być wyposażone w układy \" sterowania numerycznego \" lub sterowania komputerowego;

\n

Poz. 915 28228 Następujące urządzenia do wytwarzania i montażu wirników oraz trzpienie do formowania mieszków i matryc: a. Urządzenia do montażu wirników przeznaczone do montażu elementów wirników gazowych wirówek odśrodkowych, kierownic i pokryw, włącznie z precyzyjnymi trzpieniami, zaciskami i maszynami do pasowania skurczowego. b. Urządzenia do prostowania wirników przeznaczone do osiowania poszczególnych sekcji wirnika odśrodkowego na jednej wspólnej osi.

\n

Uwaga techniczna:

\n

Zazwyczaj urządzenie tego typu posiada bardzo dokfadne czujniki pomiarowe pofą­ czone z komputerem, który następnie steruje pracą, na przykfad, pneumatycznego bijaka stosowanego do pozycyjnego strojenia poszczególnych sekcji wirnika. c. Trzpienie i matryce do formowania mieszków oraz do wytwarzania mieszków jednozwojowych (mieszki wykonane z wysoko wytrzymałych stopów aluminium, stali maraging lub wysoko wytrzymałych materiałów włókienkowych) . Mieszki te mają nastę­ pujące wszystkie wymiary:

\n
1.średnicę 400 mm; , wewnętrzną od 75 mm do Dziennik Ustaw Nr 142 - 5025- 2. długość 12,7 mm lub większą;
\n
3.głębokość pojedynczego zwinięcia powyżej 2 mm .
\n

28229 Następujące odśrodkowe maszyny do wielopłaszczyznowego wyważania , stałe lub przenośne, poziome lub pionowe: a. Wyważarki odśrodkowe przeznaczone do wyważani e podatnych wirników o długości 600 mm lub większej i posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

\n
1.wychylenie lub średnicę czopa 75 mm lub więcej;
\n
2.zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg; oraz 3. prędkość obrotową podczas wyważania powyżej 5000 obrotów na minutę; b. Wyważarki odśrodkowe przeznaczone do wyważania cylindrycznych zespołów wirni ka i posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:
\n
1.średnicę czopa 75 mm lub więcej;
\n
2.zdolność do wyważania z espołów o masie od 0,9 do 23 kg;
\n
3.możliwość wyważania z niewyważeniem szczątkowym rzędu 0,01 kg mm/kg w danej płaszczyźnie lub lepszym; oraz Poz. 915 28232 Wielostopniowe wyrzutnie gazowe lub inne urządzenia do wyrzucania obiektów z wysoką prędkością (cewkowe, elektromagnetyczne, elektrotermiczne lub inne nowoczesne systemy tego typu) zdolne do przyspieszania poci sków do prędkości 2 km/s lub większej.
\n

28350 Następujące instalacje i urządzenia do produkcji substancji chemicznych : a. Zbiorniki reakcyjne lub reaktory, wyposażo­ ne w mieszadła lub bez nich, o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m 3 (100 litrów) i poniżej 20 m 3 (20 000 litrów), w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośredn i o z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środ­ kiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

\n
1.Stopów o zawartości powyżej 25% wagowych niklu i 20% wagowych chromu;
\n
2.Polimerów fluorowych ;
\n
3.Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);
\n
4.Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych ;
\n
5.Tantalu lub stopów tantalu;
\n
6.Tytanu lub stopów tytanu; albo 4. napęd pasowy.
\n

28230 \"Przetworniki ciśnienia\" zdolne do pomiaru ci śnienia bezwzględnego w dowolnym punkcie przedziału od O do 13 kPa, wyposażone w czuj niki ciśnień wykonane z niklu, stopów niklu o zawartości wagowej niklu ponad 60%, aluminium lub stopów aluminium albo też zabezpieczone tymi materiałami , posiadające jedną z poniższych cech charakterystycznych: a. Pełny zakres pomiarowy poniżej 13 kPa i \"dokładność\" lepszą niż ±1% (w całym zakresie); lub b. Pełny zakres pomiarowy od 13 kPa wzwyż i \"dokładność\" lepszą niż ±130 kPa.

\n

Uwaga techniczna:

\n

Dla potrzeb pozycji 28230 pojęcie \" dokfadność\" obejmuje nieliniowość, histerezę i powtarzalność w temperaturze otoczenia.

\n

28231 Pompy próżniowe z gardzielą wlotową o śred ­ nicy 380 mm lub większej i wydajności pompowania 15000 litrów/s lub większej i zdolne do wytwarzania próżni końcowej o ciśnieniu poni żej 13 MPa.

\n

Uwagi techniczne:

\n
1.Próżnię końcową określa się na wlocie do pompy po jego zatkaniu.
\n
2.Wydajność pompowania określa się wykonując pomiar z użyciem azotu lub powietrza.
\n

II 7. Cyrkonu lub st opów cyrkonu; b. Mieszadła do zbiorników reakcyjnych lub reaktorów, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

\n
1.Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;
\n
2.Polimerów fluorowych;
\n
3.Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);
\n
4.Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;
\n
5.Tantalu lub stopów tantalu;
\n
6.Tytanu lub stopów tytanu; albo 7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu ; c. Zbiorniki magazynowe, zasobniki lub odbiorniki o całkowitej pojemności wewnętrz­ nej (geometrycznej) powyżej 0,1 m 3 (100 litrów), w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:
\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - 5027-

\n
mi)są wykonane z jednego z następujących stwa Biologicznego Laboratoriów (Genewa, materiałów :
\n

1983).

\n
1.Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu ;
\n
2.Materiałów ceramicznych;
\n
3.Żelazokrzemu;
\n

Uwaga techniczna:

\n
5.Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);
\n

Do kadzi fermentacyjnych zalicza się bioreaktory, chemostaty oraz instalacje o przeptywie ciągtym.

\n
7.Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;
\n
8.Tantalu lub stopów tantalu;
\n
9.Tytanu lub stopów tytanu; albo 10. Cyrkonu lub stopów cyrkonu; j . Piece do spalania, przeznaczone do niszczenia substancji chemicznych wyspecyfikowanych w pozycji 1C350, wyposażone w specjalnie skonstruowane instalacje do doprowadzania odpadów, specjalne urządzenia do manipulowania i komorę o przeciętnej temperaturze spalania powyżej 1273 K (1000°C), w których wszystkie powierzchnie w instalacji do doprowadzania odpadów stykające się bezpośrednio z odpadami są wykonane z jednego z następujących materiałów lub nim wyłożone:
\n
1.Stopów o zawartości niklu powyż ej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;
\n
2.Materiałów ceramicznych; lub 3. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych .
\n

Następujące instalacje do monitorowania gazów toksycznych; oraz przeznaczone do nich czujniki: a. Skonstruowane z przeznaczeniem do pracy ciągłej i zdolne do wykrywania chemicznych substancji bojowych, środków chemicznych wyspecyfikowanych w pozycji 1C350 lub substancji organicznych zawierających fosfor, siarkę , fluor lub chlor w stężeniach poni żej 0,3 mg/m 3 ; lub b. Skonstruowane z przeznaczeniem do wykrywania aktywności wstrzymującej cholinoesterazę· 28352 b. Fermentory pozwalające na namnażanie patogennych \"mikroorgani zmów\" i wirusów lub umożliwiające produkcję \" toksyn \", bez rozprzestrzeniania aerozoli , posiadające pojemność równą 100 litrów lub w i ęks z ą ;

\n
4.Polimerów fluorowych;
\n
6.Grafitu ;
\n

28351 Poz. 915 Następujące urządzenia przeznaczone do użyt­ kowania przy postępowaniu z materiałami biologicznymi : a. Kompletne biologiczne obudowy zabezpieczające na poziomie P3, P4;

\n

Uwaga techniczna:

\n

Poziomy zabezpieczenia P3 lub P4 (BL3, BL4, L3, L4) wedtug specyfikacji zawartej w instrukcji WHO w sprawie Bezpieczeń- c. Separatory odśrodkowe, zdolne do ciągłego oddzielania bez rozprzestrzeniania aerozoli , posiadające wszystkie n a stępujące cechy charakterystyczne:

\n
1.Natężenie przepływu powyżej 100 litrów na godzinę;
\n
2.Elementy z polerowanej stali nierdzewnej lub tytanu ; ' 3. Złącza z podwójnym lub w ielokrotnym uszczelnieniem w obszarze występowa ­ nia pary wodnej; oraz 4. Zdolne do sterylizacji in situ w stanie za mkniętym ;
\n

Uwaga techniczna:

\n

Do separatorów odśrodkowych zalicza się również dekantery. d. Urządzenia do fi lt rowani a typu cross-flow, zdolne do ciągłego rozdzielania bez rozprzestrzen iania aerozoli, posiadające obie poniż­ sze cechy charakterystyczne:

\n
1.Pole powierzchni 5 m 2 lub w i ększe ; oraz 2. Zdolne do sterylizacji na miejscu; e. Sterylizowane parą wodn ą urządzenia do liofilizacji o wydajności kondensatora w zakresie od 50 kg lodu w ciągu 24 godzin do 1000 kg lodu w ciągu 24 godzin ; f. Następujące urządzenia zawierające obudowy ochronne kategori i P3 lub P4 lub w nich zawarte:
\n
1.Pełne lub częściowe obudowy ochronne z niezależną wentylacją ;
\n
2.Komory bezpieczne pod względem biologicznym lub izolowane pojemniki , w których mo ż na pracować ręczn i e z zachowaniem warunków odpowiadających ochronie biologicznej na poziomie Kla sy III;
\n

UWAGA : W pozycji tej przez pojęcie pojem niki izolowane należy również rozumieć elastyczne pojemniki izolowane, komory suche, komory anaerobowe oraz komory rękawo­ we. g. Komory do testowania aerozoli zawierają­ cych \" mikroorganizmy\" lub \"toksyny\" i mające pojemność 1 m 3 lub w i ększą.

\n

Dziennik Ustaw Nr 142 2C - 5028- lub \"oprogramowania\" ujętych w pozycjach 2A, 28 lub 2D.

\n

Materiały Żadne.

\n

20 Oprogramowanie 20001 \"Oprogramowanie\" specjalnie opracowane albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowania\" urządzeń ujętych w pozycjach 2AOOl lub 28001 do 28009.

\n

20002 \"Oprogramowanie\" urządzeń elektronicznych, nawet rezydujące w elementach lub systemach elektronicznych, pozwalające im działać jako jednostki \"sterowania numerycznego \" , umożliwiające realizację jednej z poniż­ szych funkcji : a. Jednoczesną koordynację więcej niż czterech osi w celu \"sterowania kształtowego\"; lub b. \"Przetwarzanie w czasie rzeczywistym\", w jeden z poniższych sposobów, danych do modyfikacji, w trakcie obróbki, ruchów narzędzia, szybkości posuwu i parametrów pracy wrzeciona:

\n
1.Automatyczne obliczanie i modyfikacja danych programu obróbki części do obróbki w dwóch lub więcej osiach za pomocą cykli pomiarowych i dostępu do danych źródłowych; lub 2. \"Sterowanie adaptacyjne\" za pomocą więcej niż jednej zmiennej fizycznej mierzonej i przetwarzanej za pomocą modelu obliczeniowego (strategia) w celu zmiany jednej lub więcej instrukcji obróbkowych pod kątem optymalizacji procesu.
\n

UWAGA: Pozycja 20002 nie obejmuje kontrolą \"oprogramowania\" specjalnie opracowanego lub modyfikowanego do obsfugi obrabiarek nie objętych kontrolą w Kategorii 2.

\n

20101 \"Oprogramowanie\" specjalnie opracowane do \"użytkowania \" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycjach 28104, 28109 lub 28116.

\n

N.B.: sprawdź także pozycję 90004.

\n

20201 \"Oprogramowanie\" specjalnie opracowane do \"użytkowania\" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycjach 28204, 28206, 28207,28209,28227 lub 28229.

\n

20202 \"Oprogramowanie\" specjalnie opracowane lub zmodyfikowane do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowania\" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycji 28201.

\n

2E Technologia 2E001 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do \"rozwoju\" urządzeń Poz. 915 2E002 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do \"produkcji\" urządzeń ujętych w pozycjach 2A lub 28.

\n

2E003 Następujące inne \"technologie\": a. \"Technologie\" umożliwiające \"rozwój\" grafiki interakcyjnej, stanowiącej integralną część urządzeń \"sterowanych numerycznie\", przeznaczonej do przygotowania lub modyfikacji programów obróbki części; b. Następujące produkcyjne \"technologie\" obróbki metali:

\n
1.Technologie projektowania narzędzi, form lub uchwytów specjalnie opracowane do jednego z następujących procesów: a. \"Obróbki w stanie nadplastycznym\"; b. \"Zgrzewania dyfuzyjnego\"; c. ,,8ezpośredniego tłoczenia hydraulicznego\";
\n
2.Dane techniczne, obejmujące metody lub parametry procesu, stosowane do sterowania przebiegiem następujących procesów: a. \"Obróbka w stanie nadplastycznym\" stopów aluminium, stopów tytanu lub \"nadstopów\":
\n
1.Przygotowanie powierzchni;
\n
2.Właściwości plastyczne;
\n
3.Temperatura;
\n
4.Ciśnienie ; b. \"Zgrzewanie dyfuzyjne\" \"nadstopów\" lub stopów tytanu :
\n
1.Przygotowanie powierzchni;
\n
2.Temperatura;
\n
3.Ciśnienie; ,,8ezpośrednie tłoczenie hydrauliczne\" stopów aluminium i stopów tytanu:
\n
1.Ciśnienie ;
\n
2.Czas cyklu; d. \"Izostatyczne prasowanie na gorąco\" stopów tytanu, stopów aluminium lub \"nadstopów\":
\n
1.Temperatura;
\n
2.Ciśnienie; c.
\n
3.Czas cyklu; c. \"Technologie\" do \"rozwoju\" lub \"produkcji\" obciągarek hydraulicznych i form do nich, do wytwarzania struktur płatowca; d. \"Technologie\" umożliwiające \"rozwój\" generatorów instrukcji dla obrabiarek (np. programów do obróbki części) na podstawie danych konstrukcyjnych rezydujących Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 5029 - modyfikowanych powierzchniowo (wymienionych w kolumnie 3 poniższej tabeli) na podłoża nieelektroniczne (wymienione w kolumnie 2 poniższej tabeli) za pomocą procesów wymienionych w kolumnie 1 poniższej tabeli i zdefiniowanych w uwadze technicznej; w urządzeniach \"sterowanych numerycznie\"; e. \"Technologie\" umożliwiające \"rozwój\" \"oprogramowania\" zintegrowanego do wprowadzania systemów eksperckich, przeznaczonych do wspomagania procesu decyzyjnego podczas operacji warsztatowych, do urządzeń \"sterowanych numerycznie\"; f. \"Technologie\" do nakładania powłok nieorganicznych albo powłok nieorganicznych (* Indeksy w nawiasach odnoszą się do uwag za- mieszczonych pod tabelą.) TABELA - TECHNIKI POWLEKANIA 1. Technika powlekania(1l* 2. Podłoże 3. Powłoka wynikowa 1 2 3 A. Osadzanie z pary lotnej (CVD) \"Nadstopy\"
\n

Materiały ceramiczne i szkło o małym B. Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD) 1. Naparowywanie próżniowe (PVD) :

\n

Wiązką elektronów (EB-PVD) Glinki na kanały wewnętrzne Krzemki współczynniku rozszerzalności Węgliki cieplnej (14) Warstwy dielektryczne (15) \"Materiały kompozytowe\" na \"matrycy\" węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Węgliki Krzemki Metale ogniotrwałe Mieszanki powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Glinki Glinki stopowe (2) Spiekane węgliki wolframu (16), Węgliki węglik krzemu Wolfram Mieszanki powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Beryl i stopy berylu Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) \"Nadstopy\"

\n

Krzemki stopowe Glinki stopowe (2) MCrAIX (5) Zmodyfikowany cyrkon (12) Krzemki Glinki Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Materiały ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Stale odporne na korozję (7) MCrAIX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy

\n
(12)\"Materiały kompozytowe\" na \"ma- trycy\" węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Ich mieszanki (4) Krzemki Węgliki Metale ognioodporne - --- ------------------------------- Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 50302 1 3 Ich mieszanki (4) Warstwy dielektryczne (15) Spiekane węgliki wolframu (16), Węgliki węglik krzemu Wolfram Ich mieszanki (4) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Borki Warstwy dielektryczne (15) Borki Azotki Materiały na okienka wziernikowe (9) Stopy tytanu (13) B.2. Napylanie techniką ogrzewania oporowego wspomaganego jonowo (Napylan ie jonowe) B.3. Napylanie próżniowe: \"odparowywanie laserowe\"
\n

Materiały ceramiczne i szkła o ma- cieplnej (14) \"Materiały kompozytowe \" na \"matrycy\" węgiel -węgiel , ceramicznej i metalowej Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu Molibden i stopy molibdenu Beryl i stopy berylu Materiały na okienka wziernikowe (9) Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) \"Materiały kompozytowe\" na \"matrycy \" węgiel -węgiel, ceramicznej i metalowej Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu Molibden i stopy molibdenu Beryl i stopy berylu Materiały na okienka wziernikowe (9) B4. Naparowywanie próżniowe: za pomocą łuku katodowego \"Nadstopy\" \" Materiały kompozytowe \" na \" matrycy\" polimerowej (11) i organicznej C. Osadzanie fluidyzacyjne (patrz A powyżej dla innych technik)(10) \"Materiały kompozytowe\" na \"matrycy\" węgiel -węgiel, ceramicznej i metalowej Stopy tytanu (13) Metale i stopy ognioodporne (8) D. Napylanie plazmowe Warstwy dielektryczne (15) łym współczynniku rozszerzalności \" Nadstopy\"

\n

Stopy aluminium (6) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Krzemki Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Węg i el o strukturze diamentu Warstwy dielektryczne (15) Krzemki stopowe Glinki stopowe (2) MCrAIX (5) Borki Węgliki Azotki Krzemki Krzemki Glinki Glinki stopowe (2) Krzemki Tlenki MCrAIX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy

\n
(12)Ich mieszanki (4) Materiał ścierny nikiel-grafit Materiał ścierny Ni-Cr-AI-Bentonit Materiał śc i erny AI -Si-Poliester Glinki stopowe (2) MCrAIX (5) Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 5031 3 2 1 Metale i stopy ognioodporne (8) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy
\n
(12)Krzemki Ich mieszanki (4) Glinki Krzemki Węgliki Stale odporne na korozję (7) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy
\n
(12)Ich mieszanki (4) Stopy tytanu (13) Węgliki Glinki Krzemki Glinki stopowe (2) Materiały ścierne nikiel-grafit Materiały ścierne Ni-Cr-AI Bentonit Materiały ścierne AI -Si-Poliester Poliester E.Powlekanie zawiesinowe Metale i stopy ognioodporne (8) \"Materiały kompozytowe\" na \" matrycy\" węgiel -węgiel , ceramicznej i metalowej F. Rozpylanie jonowe \" Nadstopy\"
\n

Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Stopy tytanu (13) Krzemki stopione Glinki stopione, z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego Krzemki Węgliki Ich mieszanki (4) Krzemki stopowe Glinki stopowe (2) Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym (3) MCrAIX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy

\n
(12)Platyna Ich mieszanki (4) Krzemki Platyna Ich mieszanki (4) Warstwy dielektryczne (15) Borki Azotki Tlenki Krzemki Glinki Glinki stopowe (2) Węgliki \"Materiały kompozytowe\" na \"ma- Krzemki trycy\" węgiel-węgiel , ceramicznej i metalowej Węgliki Metale ogn ioodporne Ich mieszanki (4) Warstwy dielektryczne (15) Spiekane węgliki wolframu (16), Węgliki węglik krzemu Wolfram Ich mieszanki (4) Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 50323 2 1 Beryl i stopy berylu Materiały na okienka wziernikowe (9) Metale i stopy ognioodporne (8) Borki Warstwy dielektryczne (15) Warstwy dielektryczne (15) Glinki Krzemki Tlenki Węgliki G. Implantacja jonów Żarowytrzymałe stale łożyskowe Stopy tytanu (13) Beryl i stopy berylu Spiekany węglik wolframu (16) Dodatki chromu, tantalu lub niobu Borki Azotki Borki Węgliki Azotki Uwagi do tabeli technik powlekania
\n
(1)Termin \" technika powlekania\" obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powtok, jak i naktadanie nowych.
\n
(2)Termin \" powtoka z glinku stopowego\" obejmuje powtoki uzyskane w procesie jedno- albo wieloetapowym, w którym każdy pierwiastek albo pierwiastki są nakfadane przed albo podczas naktadania powtoki glinkowej, nawet jeżeli pierwiastki te są nakfadane podczas innego procesu powlekania.
\n

Jednakże nie obejmuje to przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych.

\n
(3)Termin \" powtoka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym\" obejmuje powtoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed potożeniem powtoki z glinku na podtoże naktadany jest, w innym procesie powlekania, jeden albo kilka metali szlachetnych.
\n
(4)Mieszanki sktadają się z przesyconego materiatem po wtoki podtoża, sktadników pośrednich, materiatu wspótosadzonego oraz wielowarstwowego materiatu osadzonego i są wytwarzane jedną albo kilku technikami powlekania, wymienionymi w tabeli.
\n
(5)Pod terminem MCrAIX należy rozumieć powlokę stopową, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinację, a X - hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych lub innych zamierzonych ilościach dodatkowych, wynoszących powyżej 0,01 procenta wagowego w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem : a. Powtok CoCrAIY, w których znajduje się poniżej 22 procent wagowych chromu, poniżej 7 procent wagowych aluminium i poniżej 2 procent wagowych itru; b. Powtok CoCrAIY, w których znajduje się 22 do 24 procent wagowych chromu, 10 do 12 procent wagowych aluminium i 0,5 do 0,7 procent wagowych itru; lub c. Powtok NiCrAIY, w których znajduje się 21 do 23 procent wagowych chromu, 10 do 12 procent wagowych aluminium i 0,9 do 1,1 procent wagowych itru.
\n
(6)Termin \"stopy aluminium \" dotyczy stopów, których wytrzymatość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 190 MPa lub więcej.
\n
(7)Termin \" stale odporne na korozję \" odnosi się do stali serii 300 wedtug AISI (American Iron and Steellnstitute) lub równoważnych norm krajowych.
\n
(8)Do metali żarowytrzymatych zaliczają się następu­ jące metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal.
\n
(9)Następujące materiafy na okienka wziernikowe: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu i następujące halogenki metali: jodek potasu, fluorek potasu albo materiaty na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z bromku talu (III) (bromku talowego) i chlorobromku talu.
\n
(10)W ramach Kategorii 2 nie objęto kontrolą \"technologii\" jednoetapowego utwardzania techniką cieplno-chemiczną litych profili aerodynamicznych.
\n
(11)Następujące polimery: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany.
\n
(12)Przez termin zmodyfikowany tlenek cyrkonowy należy rozumieć tlenek cyrkonowy z dodatkami innych tlenków metali, np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków lantanowców itp. w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i sktadników faz. Kontrola nie dotyczy powtok antytermicznych wykonanych z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie albo stapianie z tlenkiem wapnia albo magnezu.
\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 5033-

\n
(13)Przez termin \"stopy tytanu \" należy rozumieć stopy stosowane w technice kosmicznej, których wytrzymafość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 900 MPa lub więcej.
\n
(14)Przez termin \" szkfa o mafym wspófczynniku rozszerzalności cieplnej\" należy rozumieć szkfa, dla których wartość wspófczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 1 x 10-7 K-1 lub mniej.
\n
(15)Przez termin \" warstwy dielektryczne\" należy rozumieć powfoki wielowarstwowe z materiafów izolacyjnych, w których interferencyjne wfaściwości konstrukcj i zfożonej z materiafów o różnych wspófczynnikach zafamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochfaniania fal o różnych dfugościach. Jako warstwy dielektryczne należy rozumieć ma teria f y skfadające się z wię­ cej niż czterech warstw dielektrycznych lub \"kompozytów\" z materiafów dielektrycznych i metali_
\n
(16)Spiekany węglik wolframu nie obejmuje materiafów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu/ (kobaltu, niklu), węglika t ytanu/ (kobaltu, niklu), węglika ch rom u/ nikiel-chrom i węglika chromu/ nikiel.
\n

TABELA - TECHNIKI POWLEKANIA - UWAGA TECHNICZNA Definicje procesów wymienionych w kolumnie 1 Tabeli: a. Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakfadania powfoki albo modyfikacji powierzchni podfoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podfożu metalu, stopu, \"kompozytu\", dielektryka albo materiafu ceramicznego. W sąsiedztwie podfoża następuje rozkfad albo fączenie gazowych substratów reakcji, wskutek czego osadza się na nim pożą ­ dany pierwiastek, stop albo związek. gazów, co umożliwia wytwarzanie powfok o zfożo­ nym skfadzie. Innym, powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest używanie wiązki jonów albo elektronów lub plazmy do intensyfikacji albo wspomagania osadzania powfoki. W technice tej można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powfoki. Wyróżnia się następujące odmiany tej techniki:

\n

Potrzebna do rozkfadu związków albo do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podfoże, plazmę z wyfadowań jarzeniowych, lub za pomocą \" Iasera\";

\n
1.PVD z zastosowaniem wiązki elektronów - do rozgrzania i odparowania ma teria fu, który ma stanowić powfokę, używa się wiązki elektronów;
\n

UWAGA: 1. CVD obejmuje następujące techniki:

\n

Osadzanie w ukierunkowanym przepfywie gazów bez zanurzania w proszku, CVD pulsujące, rozkfad termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane albo wspomagane za pomocą plazmy.

\n
2.Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podfoża w mieszaninie sproszkowanych substancji.
\n
3.Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarza ne podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach jak w przypadku osadzania f/uidyzacyjnego: z tym wyjątkiem, że powlekane podfoże nie styka się z mieszaniną proszku. b. Naparowywanie termiczne - fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest techniką powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w której do odparowania materiatu powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja albo osadzenie odparowanych sktadników na odpowiednio usytuowanych powierzchniach. Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie do komory próżniowej podczas powlekania dodatkowych 2. PVD z ogrzewaniem oporowym - do wytwarza nia odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych skfadników powfokowych wykorzystywane są źródfa elektrycznego ogrzewania oporowego;
\n
3.Odparowanie \"Iaserowe\" - do ogrzania materiafu przeznaczonego na powfokę używana jest ciągfa albo impulsowa wiązka \"Iaserowa \";
\n
4.Osadzanie wspomagane fukiem katodowym katoda jest wykonana z materiafu mającego stanowić powfokę; fuk powstaje na powierzchni tego materiafu po wfączeniu zasilania. Dzięki moż­ liwości sterowania procesem rozkfadu powierzchni katody powstaje plazma o wysokim stopniu jonizacji. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody albo komora. Osadzanie w miejscach nie leżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podfoża.
\n

UWAGA: Definicja ta nie obejmuje bezfadnego osadzania wspomaganego fukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych. c. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE-PVD, w której do jonizacji osadzanych sktadników jest wykorzystywane źródto plazmy albo jonów, natomiast podtoże jest polaryzowane ujemnie, co ufatwia wychwyt z plazmy tych skfadników, które mają być osadzone. Do często spoty- Dziennik Ustaw Nr 142 - 5034- kanych odmian tej techniki należą: wprowadzanie sktadnikówaktywnych, odparowywanie substancji statych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powtok za pomocą monitorów. d. Osadzanie f/uidyzacyjne jest techniką powlekania albo modyfikacji powierzchni podtoża, w której podtoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, sktadającej się z:

\n
1.Proszków metalicznych, które mają być osadzone (zazwyczaj aluminium, chrom, krzem lub ich kombinacje);
\n
2.Aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz 3. Proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.
\n

Podtoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1030 K (757°C) do 1375 K (1 102°C) przez okres wystarczający do osadzenia powtoki. e. Napylanie plazmowe jest techniką powlekania, w której do pistoletu stużącego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materiat do powlekania w postaci proszku albo pręta. Pistolet topi materiat i wyrzuca go na podtoże, na którym powstaje silnie z nim związana powtoka. Odmianami tej techniki są napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością, przeprowadzane pod wodą.

\n

UWAGA: 1. Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnieniem niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia.

\n
2.Wysoka prędkość odnosi się do pręd­ kości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s sprowadzoną do temperatury 293 K (20 °C) i ciśnienia 0,1 MPa. f Osadzanie zawiesinowe jest techniką powlekania albo modyfikacji powierzchni, w której stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, naktadana na podtoże techniką natryskiwania, zanurzania lub malowania. Następnym etapem jest suszenie w powietrzu albo w piecu i obróbka cieplna, w wyniku czego powstaje powtoka o odpowiedniej charakterystyce.
\n

KATEGORIA 3 3A Systemy, urządzenia i części UWAGI:

\n
1.Status kontroli wyposażenia, urzą­ dzeń i części opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż wymienione w pozycji 3A001 .a.3. do 3A001.a.10. lub 3A001 .a.12., specjalnie przeznaczonych do innych urządzeń albo posiadających Poz. 915 g. Rozpylanie jonowe jest techniką powlekania, opartą na zjawisku przenoszenia pędu, w której natadowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiat powtokowy). Energia kinetyczna padają­ cych jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiatu powfokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podfoża .
\n

UWAGA: 1. Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomocą triody, magnetronowego i reakcyjnego, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powfoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwo­ ści, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiatów powtokowych.

\n
2.Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV). h. Implantacja jonowa jest techniką modyfikacji powierzchni polegającą na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjafów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podfoża. Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów albo rozpylaniem jonowym.
\n

2E101 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do \"użytkowania\" urzą­ dzeń lub \"oprogramowania\" ujętych w pozycjach 28004, 28104, 28109, 281161ub 2D101.

\n

2E201 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Tech nologii przeznaczone do \"użytkowania\" urzą­ dzeń lub \"oprogramowania\" ujętych w pozycjach 2A225, 2A226, 28001, 28006, 28007.b., 28007.c, 28008, 28009, 28201, 28204, 28206, 28207, 28209, 28225 do 28232, 2D201 lub 2D202.

\n

2E301 \"Technologie\" niezbędne do \"użytkowania\" wyrobów wyspecyfikowanych w pozycjach 28350 do 28352 .

\n

ELEKTRONIKA te same cechy funkcjonalne co inne urządzenia, jest taki sam jak status kontroli tych innych urządzeń.

\n
2.Status kontroli ukfadów scalonych ujętych w pozycjach 3A001.a.3. do 3A001.a.9. lub 3A001.a.12., zaprogramowanych na stafe bez możli­ wości wprowadzenia zmian albo przeznaczonych do specjalnych funkcji dla innych urządzeń, jest ta- Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 5035- lub statusie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe lub statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), o jednej z poniższych właści ­ ki sam jak status kontroli tych innych urządzeń .
\n

UWAGA: W razie gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić statusu kontroli tych innych urzą­ dzeń, status kontroli danych uktadów scalonych jest określony w pozycjach 3AOO 1.a.3 do 3A001.a.9. i 3A001.a. 12. wości : a. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125°C) , b. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (- 55°C); lub c. przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (-55°C) do 398 K (125°C);

\n

UWAGA: Pozycja 3A001.a.2. nie obejmuje uktadów scalonych do silników do pojazdów cywilnych ani kolejowych.

\n

Jeżeli uktad scalony jest krzemo- wym \"mikroobwodowym mikrokomputerem\" lub mikrosterowanym mikroobwodem ujętym w pozycji 3A001 .a.3. o dtugości stowa operanda (danych) 8 bitów lub mniej, status kontroli uktadu scalonego określono w pozycji 3A001.a.3.

\n

3A001 Urządzenia i części elektroniczne a. Następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia:

\n

UWAGI: 1. Status Kontroli pfytek (gotowych albo niegotowych) posiadają­ cych wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a.

\n
2.Do uktadów scalonych zaliczane są następujące typy: \"Uktady scalone monolityczne\"; \"Uktady scalone hybrydowe\"; \"Uktady scalone wielopfytkowe \"; \"Uktady scalone warstwowe \" wtącznie z uktadami scalonymi typu krzem na szafirze; \"Uktady scalone optyczne\".
\n
1.Układy scalone skonstruowane albo przystosowane w taki sposób, że są odporne na promieniowanie jonizujące i wytrzymują: a. dawkę całkowitą 5 x 103 Gy (Si) lub wyższą; lub b. wzrost dawki o 5 x 106 Gy (Si)/s lub większy;
\n
2.\"Układy mikroprocesorowe\" , \"układy mikrokomputerowe\" i mikroukłady do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych , przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub \"optyczne układy scalone\" do \"przetwarzania sygnałów\", sieci bramek programowalne przez użytkownika , tablice logiczne programowalne przez użytkownika, układy scalone na sieciach neuronowych, robione na zamówienie układy scalone o nie znanej ich producentowi funkcji 3. \"U kłady m ikroprocesorowe \" , \"u kłady mikrokomputerowe \" i mikroukłady do mikrosterowników posiadające jedną z następujących cech :
\n

UWAGA: Pozycja 3A001.a.3. obejmuje cyfrowe procesory sygnatowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe. a. Posiadają \"całkowitą teoretyczną moc obliczeniową \" (CTP) 260 milionów operacji teoretycznych na sekundę (Mtops) lub więcej oraz jednostkę arytmetyczno - logiczną z szyną dostępu o szerokości 32 bitów lub większej; b. Są wykonane z półprzewodników złożonych i pracują z częstotliwością zegara powyżej 40 MHz; lub c. Posiadają więcej niż jedną szynę danych albo rozkazów, albo szeregowy port komunikacji zewnętrznej w procesorze równoległym o prędkości transmisji danych powyżej 2,5 Mbajtów/s;

\n
4.Pamięciowe układy scalone wytwarzane z półprzewodników złożonych;
\n

5.

\n

Następujące przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe na ukła ­ dach scalonych : a. Przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

\n
1.Rozdzielczość 8 bitów lub więcej , ale poniżej 12 bitów, i całkowity czas przetwarzania z maksymalną rozdzielczością poniżej 10 ns;
\n
2.Rozdzielczość 12 bitów i całkowity czas przetwarzania z maksymalną rozdzielczością poniżej 200 ns; lub - Dziennik Ustaw Nr 142 5036 - 3. Rozdzielczość powyżej 12 bitów i całkowity czas przetwarzania z maksymalną rozdzielczością poniżej 2 mikrosekund; b. Przetworniki cyfrowo-analogowe o rozdzielczości 12 bitów lub więk­ szej i \"czasie ustalania\" poniżej 10 ns;
\n
6.Układy scalone elektrooptyczne albo \"optyczne układy scalone\" do \"przetwarzania sygnałów\" posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne: a. Posiadające jedną albo więcej wewnętrznych diod \" laserowych\"; b. Posiadające jeden albo więcej wewnętrznych elementów reagujących na światło; i c. Wyposażenie w światłowody;
\n
7.Sieci bramek programowalne przez użyt­ kownika, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 30000 (2 bramki wejściowe); lub b. Typowe \"podstawowe opóżnienie bramki związane z rozchodzeniem się sygnału \" mniejsze niż 0,4 ns;
\n
8.Tablice logiczne, programowalne przez użytkownika, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych : a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 30000 (2 bramki wejściowe); lub b. Częstotliwość przełączania powyżej 133 MHz;
\n

9.

\n

Układy scalone na sieciach neurono- wych;

\n
10.Robione na zamówienie układy scalone o nie znanej ich producentowi funkcji lub statusie kontroli urządzenia, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, posiadające jedną z następują­ cych cech charakterystycznych: a. Ponad 208 terminali; b. Typowe \"podstawowe opóźnienie bramki związane z rozchodzeniem się sygnału\" mniejsze niż 0,35 ns; lub c. Częstotliwość 3 GHz; robocza powyżej 11. Cyfrowe układy scalone, różne od wymienionych w pozycjach 3A001.a.3. do 3A001.a.10. lub 3A001.a.12., oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 300 (2 bramki wejściowe); lub Poz. 915 b. Częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz;
\n
12.Procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT) posiadające jedną z nastę­ pujących cech charakterystycznych: a. Nominalny czas realizacji dla 1024-punktowej urojonej transformaty FFT poniżej 1 ms; b. Nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej N log2N/10 240 ms, gdzie N jest liczbą punktów; lub c. Przepustowość motylkowa powyżej 5,12 MHz. b. Urządzenia mikrofalowe albo pracujące na falach milimetrowych:
\n
1.Następujące elektronowe lampy niowe i katodowe: próż­ UWAGA: Pozycja 3A001.b. 1. nie dotyczy lamp skonstruowanych lub przystosowanych do dziatania w zakresie pasm przydzielonych przez ITU przy czę­ stotliwościach nie przekraczających 31 GHz. a. Następujące lampy o fali bieżącej, impulsowe albo o działaniu ciągłym:
\n
1.Pracujące z częstotliwościami powyżej 31 GHz;
\n
2.Zaopatrzone w element podgrzewający katodę, z czasem dojścia do mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;
\n
3.Sprzężone lampy wnękowe albo ich pochodne o \"chwilowej szerokości pasma\" powyżej 7% lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;
\n
4.Lampy spiralne, albo ich pochodne, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. \"Chwilową szerokość pasma\" powyżej jednej oktawy i iloczyn mocy przeciętnej (wyrażo­ nej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5; b. \"Chwilową szerokość pasma\" poniżej jednej oktawy i iloczyn przeciętnej znamionowej mocy wyjściowej (wyrażonej w kW) i częstotliwości roboczej (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub c. Właściwości nej\"; \"klasy kosmicz- b. Wzmacniacze lampowe o skrzyżowa­ nych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;
\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - 5037- c. Impregnowane katody do lamp elektronicznych, posiadające jedną z wymien ionych poniżej cech charakterystycznych:

\n
1.Czas włączenia i dojścia do emisji znamionowej poniżej 3 sekund; lub 2. Wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm 2;
\n
2.Mikrofalowe układy scalone albo moduły z \"monolitycznymi układami scalonymi\", pracujące z częstotliwościami powyżej 3GHz;
\n

UWAGA: Pozycja 3A001 .b.2. nie obejmuje ukfadów ani modufów przeznaczonych albo pracują­ cych wyfącznie w zakresie pasm przydzielonych przez ITU z częstotliwościami nie przewyższającymi 31 GHz.

\n
3.Tranzystory mikrofalowe specjalnie przeznaczone do pracy przy' częstotliwo­ ściach powyżej 31 GHz;
\n
4.Mikrofalowe wzmacniacze półprzewod ­ nikowe, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: robocze powyżej a. Częstotliwości 10,5 GHz i \"chwilową szerokość pasma \" powyżej połowy oktawy; b. Częstotliwości robocze przewyższa ­ jące 31 GHz;
\n
5.Filtry środkowo- przepustowe i środko ­ wo-zaporowe przestrajalne elektronicznie albo magnetycznie, posiadające ponad 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmaks/fmin) w ciągu poniżej 10 mikrosekund o: a. Szerokości pasma środkowo - przepu ­ stowego powyżej 0,5% częstotliwo­ ści nośnej; lub b. Szerokości pasma środkowo - zaporo­ wego poniżej 0,5% częstotliwości nośnej;
\n
6.Zespoły mikrofalowe zdolne do pracy przy częstotliwościach powyżej 31 GHz;
\n
7.Miksery i przetworniki przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości urządzeń ujętych w pozycjach 3A002.c., 3A002.e. lub 3A002.f. powyżej podanych tam wartości granicznych;
\n
8.Mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające lampy ujęte w pozycji 3A001.b., posiadające wszystkie z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Częstotliwości robocze powyżej 3 GHz;
\n

Poz. 915 b. Średnią WYJsClową gęstość mocy większą niż 80 W/kg; oraz c. Objętość mniejszą niż 400 cm 3 .

\n

UWAGA: Pozycja 3A001.b.8. nie obejmuje kontrolą urządzeń skonstruowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie pasm przydzielonych przez I TU. c. Następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne i specjalnie do nich przeznaczone części:

\n
1.Urządzenia wykorzystujące akustyczne fale powierzchniowe oraz akustyczne fale szumów powierzchniowych (płytkie) (tj. urządzenia do \"przetwarzania sygnałów\" wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), posiadają­ ce jedną z następujących cech charakterystycznych : a. Częstotliwość nośną powyżej 2,5 GHz; b. Częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale mniejszą niż 2,5 GHz, oraz mające jedną z poniższych właściwo­ ści:
\n
1.Tłumienie pasma bocznego czę­ stotliwości powyżej 55 dB;
\n
2.Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w mikrosekundach i szerokość pasma w MHz) powyżej 100;
\n
3.Szerokość pasma większą niż 250 MHz; lub 4. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 mikrosekund; lub c. Częstotliwość nośną 1 GHz lub mniej oraz mające jedną z poniższych wła ściwości :
\n
1.Iloczyn maksymalnego czasu i szerokości pasma (czas w mikrosekundach i szerokość pasma w MHz) powyżej 100;
\n
2.Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 mikrosekund;
\n
3.Tłumienie pasma bocznego czę ­ stotliwości powyżej 55 dB i szerokość pasma większą niż 50 MHz; zwłoki 2. Urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne (tj. urządzenia do \"przetwarzania sygnałów\" wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 1GHz;
\n
3.Urządzenia do \"przetwarzania sygnałów\" optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy fala mi akustycznymi (przestrzennymi albo - Dziennik Ustaw Nr 142 5038- powierzchniowymi) a falami świetlny­ mi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów albo obrazów, włącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem; d. Urządzenia lub układy elektroniczne, w których skład wchodzą elementy wykonane z materiałów\" nadprzewodzących \", specjalnie przeznaczone do pracy w temperaturach poniżej \"temperatur krytycznych\" co najmniej jednego z elementów \"nadprzewodzących\", posiadające jedną z następują­ cych cech charakterystycznych:
\n
1.Wzmocnienie elektromagnetyczne: a. Przy częstotliwościach równych lub mniejszych od 31 GHz ze współczynni ­ kiem szumów poniżej 0,5 dB; lub b. Przy częstotliwościach 31 GHz; powyżej 2. Przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek \"nadprzedla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10-14 J; lub wodzących, 3. Selekcja częstotliwości dla wszystkich za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q powyżej 10000; częstotliwości e.
\n

Następujące urządzenia wysokoenergetycz- ne:

\n

Poz. 915 i dzieląc przez cafkowitą masę ogniwa (albo akumulatora) w kg. c. Płyty z ogniwami fotoelektrycznymi \"klasy kosmicznej\" lub odporne na promieniowanie jonizujące, o mocy jednostkowej powyżej 160 W/m 2 w temperaturze roboczej 301 K (+28°C) po oświetleniu światłem o natężeniu 1 kW/m 2 emitowanym przez włókno wolframowe o temperaturze 2800 K (2 527 OC);

\n
2.Następujące wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące:
\n

N.B. sprawdź także 3A201.a. a. Kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

\n
1.Napięcie znamionowe równe lub wyższe n iż 5 kV;
\n
2.Gęstość energii równą lub wyższą niż 250 J/kg; oraz 3. Energię całkowitą równą lub wyż­ szą niż 25 kJ; b. Kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:
\n
1.Napięcie znamionowe równe lub 1. Następujące akumulatory i zespoły fotowoltaiczne:
\n

UWAGA: Pozycja 3A001.e.1. nie obejmuje kontrolą akumulatorów o objętościach równych lub mniejszych niż 27 cm 3 (np. standardowe akumulatory wę­ glowe lub baterie R14). a. Ogniwa i akumulatory galwaniczne o gęstości energii powyżej 480 Wh/kg i przystosowane do pracy w zakresie temperatur od poniżej 243 K (-30°C) do powyżej 343 K (+70°C); b. Ogniwa i akumulatory doładowywane, o gęstości energii powyżej 150 Wh/kg po 75 cyklach ładowania/rozładowania przy prądzie rozładowania równym C/5 godzin (C jest pojemnością nominalną w amperogodzinach) w przypadku eksploatacji w zakresie temperatur od poniżej 253 K (-20°C) do powyżej 333 K (+60°C);

\n

Uwaga techniczna:

\n

Gęstość energii oblicza się mnożąc średnią moc w watach (średnie napię­ cie w woltach razy średni prąd w am- perach) przez czas rozfadowania w godzinach do poziomu napięcia stanowiącego 75% napięcia jafowego wyższe n iż 5 kV;

\n
2.Gęstość energii równą lub wyższą niż 50 J/kg;
\n
3.Energię całkowitą równą lub wyż­ szą niż 100 kJ; oraz 4. Żywotność mierzoną liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynoszącą 10000;
\n
3.\"Nadprzewodzące\" elektromagnesy albo cewki, specjalnie opracowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie poniżej jednej sekundy, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:
\n

N.B. sprawdź także 3A201.b. a. Energia dostarczona podczas wyła­ dowania większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie; b. Średnica wewnętrzna uzwojenia prą­ dowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz c. Dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadające \"całkowitą gęstość prądu\" uzwojenia powyżej 300 A/mm 2 ;

\n

UWAGA: Pozycja 3A001.e.3. nie obejmuje kontrolą ani elektromagnesów, ani cewek \"nadprze- Dziennik Ustaw Nr 142 - wodzących\" specjalnie przeznaczonych do aparatury medycznej, w której do tworzenia obrazów wykorzystywany jest rezonans magnetyczny (MRI). f.

\n

Urządzenia rejestrujące bezwzględne poło­ żenie wału posiadające jedną z wymienio- nych poniżej cech charakterystycznych:

\n
1.Rozdzielczość lepszą niż 1 część na 265000 (rozdzielczość 18 bitów) pełnego zakresu ; lub 2. Dokładność powyżej i 2,5 sekundy łuku ;
\n

3A002 Poz. 915 5039- Sprzęt elektroniczny ogólnego przeznaczenia. a. Następujące urządzenia rejestrujące i specjalnie do nich przeznaczone taśmy testowe:

\n
1.Analogowe urządzenia rejestrujące na taśmie magnetycznej włącznie z urządze­ niami umożliwiającym i zapis sygnałów cyfrowych [(np. za pomocą modułu do cyfrowego zapisu magnetycznego z dużą gęstością (HDDR)], posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Szerokość pasma powyżej 4 MHz na kanał lub ścieżkę elektroniczną; b. Szerokość pasma powyżej 2 MHz na kanał lub ścieżkę elektroniczną oraz posiadające więcej niż 42 ścieżki ; lub c. Uchyb czasowy, mierzony według dostępnej dokumentacji Inter Range Instrumentation Group (IRIG) lub Electronic Industries Association (ElA), mniejszy od i O,1 mikrosekundy;
\n

UWAGA: Pozycja 3A002.a. 7. nie obejmuje kontrolą rejestratorów analogowych na taśmie magnetycznej do cywilnych zastosowań techniki video.

\n
2.Cyfrowe rejestratory obrazów na taśmie magnetycznej posiadające złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 180 Mbitów/s;
\n

UWAGA: Pozycja 3A002.a.2. nie obejmuje kontrolą cyfrowych rejestra torów video na taśmie magnetycznej specjalnie przeznaczonych do rejestracji telewizyjnej zgodnie z formatem sygnatu znormalizowanym i zalecanym przez Radio Consultative Committee (CCIR) lub International Technical Commission (lEC) do stosowania w telewizji cywilnej;

\n
3.Urządzenia do cyfrowego zapisu na ta śmie magnetycznej techniką skanowania spiralnego lub za pomocą głowicy stałej, posiadające jedną z wymienionych poni żej cech charakterystycznych: a. Posiadające z łącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 170 Mbitów/s; lub b. Właściwości \" klasy kosmicznej\" ;
\n

UWAGA: Pozycja 3A002.a.3. nie obejmuje kontrolą rejestratorów analogowych na taśmie magnetycznej, wyposażonych w przetworniki elektroniczne HDDR, skonstruowanych w taki sposób, że umożliwiają rejestrację wytącznie danych cyfrowych .

\n
4.Urządzenia posiadające złącza komuni kacyjne o szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 175 Mbitów/s, umożliwiające przekształcanie cyfrowych rejestratorów obrazów na taśmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych;
\n
5.Analogowo-cyfrowe przetworniki przebiegów falowych i rejestratory stanów przejściowych posiadające obie poniższe cechy charakterystyczne:
\n

N.B. sprawdź także 3A202. a. Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 200 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 10 bitów lub większą; oraz b. Wydajność ciągłą 2 Gbity/s lub więk­ szą ;

\n

Uwaga techniczna:

\n

W przypadku urządzeń o równolegtej architekturze szyn, wydajność ciągtą określa się jako iloczyn największej prędkości przesytu stów i liczby bitów w stowie. W pozycji 3A002.a.5. poję­ cie \" wydajność ciągta \" oznacza największą prędkość przesytu danych przez urządzenie do pamięci masowej bez straty informacji z utrzymaniem prędkości próbkowania i przetwarzania analogowo-cyfrowego; b. \"Elektroniczne zespoły \" \" syntezatorów czę­ stotliwości\" z \"czasem przełączania często ­ tliwości\" z jednej wybranej wartości na drugą wynoszącym poniżej 1 ms; c. Następujące \" analizatory sygnałów \" :

\n
1.\" Analizatory sygnałów\" zdolne do anali zowania częstotliwości powyżej 31 GHz;
\n
2.\"Analizatory sygnałów dynamicznych\" z \"pasmem bieżącym o szerokości\" powyżej 25,6 kHz;
\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - c. Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku w przypadku stosowania promieni rentgenowskich, posiadające czułość 2,5 mJ/mm 2 lub lepszą; c. Symulatory procesów litograficznych na potrzeby projektowania. d. Wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane z przeznaczeniem do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych, włącznie z fotorezystami siliatowanymi.

\n

Symulator procesów litograficznych jest to pakiet \"oprogramowania\" określający w fazie projektowania kolejność procesów litografii, trawienia i osadzania w celu przeksztafcenia geometrycznych ksztaftów na maskach w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub pólprzewodnikowych.

\n

Uwaga techniczna:

\n

Uwaga techniczna:

\n

Techniki siliatowania definiuje się jako procesy utleniania powierzchni materialów fotorezystywnych w celu poprawy ich parametrów zarówno podczas wywofywania na sucho, jak i na mokro.

\n

3C003 UWAGA: Pozycja 30003 nie obejmuje kontrolą \"oprogramowania\" przeznaczonego specjalnie do wprowadzania schematów ukfadów, symulacji logicznej, projektowania rozmieszczenia i pofą­ czeń, weryfikacji topografii oraz taśm sterujących generatorami masek.

\n

Następujące związki organiczno-nieorganiczne: a. Materiały metaloorganiczne z glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999%; b. Związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie związku nieorganicznego) lepszej niż 99,999%.

\n

UWAGA : Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane slużące do projektowania przyrządów pólprzewodnikowych lub ukfadów scalonych są zaliczane do \"technologii\".

\n

UWAGA: Pozycja 3C003 dotyczy wyfącznie związków, w których skfadnik metalowy, częściowo metalowy lub skfadnik niemetalowy jest bezpośrednio zwią ­ zany z węglem w organicznym skladniku molekuly.

\n

30101 \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone do \"użytkowania\" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycji 3A101 b.

\n

3C004 Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999%, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze.

\n

UWAGA: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrolą wodorków zawierających molowo 20%, lub więcej, gazów obojętnych rzadkich lub wodoru.

\n

3D Poz. 915 5045- Oprogramowanie 30001 \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone do \"rozwoju\" lub \"produkcji\" urządzeń obję ­ tych kontrolą według pozycji 3A001.b. do 3A002 .g. lub 38;

\n

30002 \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone do \"użytkowania\" urządzeń \"ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci\" wyspecyfikowanych w pozycji 38;

\n

30003 \"Oprogramowanie\" przeznaczone do wspomaganego komputerowo projektowania (CAD) przyrządów półprzewodnikowych lub układów scalonych, posiadające jedną z następujących cech: a. Reguły projektowania lub reguły weryfikacji obwodów; b. Symulację układów na poziomie projektu struktury fizycznej; lub 3E Technologie 3E001 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Technologii do \"rozwoju\" lub \"produkcji\" urządzeń lub materiałów objętych ograniczeniem wywozu według pozycji 3A, 38 lub 3C;

\n

UWAGA: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą \" technologii\" do \"rozwoju\" lub \"produkcji\" następujących wyrobów: a. Tranzystorów mikrofalowych dziafających w zakresie częstotliwości poniżej 31 GHz; b. Ukladów scalonych ujętych w pozycjach 3A001.a.3. do 3A001.a. 12., posiadających obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

\n
1.Zastosowano w nich technologię na poziomie jednego mikrometra lub więcej, i 2. Nie mają budowy wielowarstwowej.
\n

UWAGA: Pojęcie \" budowa wielowarstwowa\" w Uwadze b.2. do pozycji 3E001 nie stosuje się do ukfadów posiadających ma-ksymalnie dwie warstwy metaliczne i dwie warstwy polikrzemowe.

\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - 5046 - 3E002 Inne technologie do \"rozwoju\" lub \"produkcji\" następujących wyrobów:

\n

3E101 a. Próżniowych przyrządów mikroelektronicznych; b. Heterostrukturalnych elementów półprze­ wodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), elementy z jamą kwantową i elementy nadstrukturalne; c. \"Nadprzewodnikowych\" tronicznych; przyrządów elek- 3E201 1. Możliwość działania w temperaturze otoczenia poniżej 228 K (-45°C) lub powyżej 358 K (+85°C); lub 1. Komputery, towarzyszące im urządzenia albo \" oprogramowanie \" stosowane do celów telekomunikacyjnych albo działające w ramach \"lokalnej sieci komputerowej\", należy również analizować pod kątem parametrów urzą­ dzeń telekomunikacyjnych wymienionych w Kategorii 5, część 1 (Telekomunikacja).

\n

UWAGA: Pozycja 4A001.a. 1. nie dotyczy komputerów specjalnie przeznaczonych do samochodów cywilnych i dla kolejnictwa.

\n
2.Zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym co najmniej o następują­ cych parametrach minimalnych : a. Dawka całkowita: 5 x 103 Gy (Si); b. Wahania natężenia dawki: 5 x 106 Gy (Si)/s; lub c. Pojedyncze przypadkowe zakłócenie:
\n

1 x 10- 7 błędów/bit/dzień;

\n

UWAGA:

\n

4A Systemy, urządzenia i części 4A001 Następujące komputery elektroniczne i towa- rzyszące im urządzenia oraz specjalnie do nich przeznaczone \"zespoły\" i elementy:

\n

N.B. sprawdź także 4A101 . a. Specjalnie opracowane w taki sposób, że mają jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych : \"Technologia\" według Uwagi Ogólnej do Technologii do \"użytkowan i a\" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycjach 3A0001 .e.2., 3A001 .e.3., 3A001.e.5., 3A201 , 3A202, 3A225 do 3A233.

\n

KOMPUTERY UWAGI:

\n
1.Jednostki sterujące, podłączone bezpośrednio do szyn lub łączy jednostek centralnych, \" pamięci operacyjnych\" albo sterowników dysków, nie są uważane za urządzenia telekomunikacyjne ujęte w Kategorii 5, część 1 (Telekomunikacja).
\n
2.W przypadku statusu kontroli \"oprogramowania\" specjalnie przeznaczonego do komutacji pakietów patrz Kategoria 50001 (Telekomunikacja) .
\n
2.Komputery, towarzyszące im urządzenia i \"oprogramowanie\" wykorzystywane do szyfrowania, rozszyfrowywania, systemu zabezpieczeń wymagającego potwierdzenia wielopoziomowego lub w wymagających potwierdzenia systemach wyodrębnienia użytkownika, albo ograniczające zgodność elektromagnetyczną (EMC), należy również analizować pod kątem parametrów wymienionych w Kategorii 5, część 2 (\"Ochrona Informacji\"). \"Technologia\" według Uwagi Ogólnej do Technologii do \"użytkowania\" urządzeń lub \"oprogramowania\" wyspecyfikowanego w pozycjach 3A001.a.1. lub 3A001.a .2., 3A101 albo 30101.
\n

3E102 \"Technologia \" według Uwagi Ogólnej do Technologii do \"rozwoju \" oprogramowania wyspecyfikowanego w pozycji 30101. d. Podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych .

\n

KATEGORIA 4 - Poz. 915 b. Mające cechy charakterystyczne lub realizujące działania wykraczające poza ograniczenia według Kategorii 5, część 2 (Ochrona Informacji) .

\n

4A002 Następujące \"komputery hybrydowe\" \"zespoły elektroniczne\" i specjalnie do przeznaczone podzespoły: oraz nich N.B. sprawdź także 4A102. a. Wyposażone w \"komputery cyfrowe\" ujęte w pozycji 4A003; b. Zaopatrzone w przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające wszystkie z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

\n
1.32 kanały albo więcej; i 2. Rozdzielczość 14 bitów (plus bit znaku) lub większą oraz szybkość przetwarzania 200 000 operacji przetwarzania/s lub większą· 4A003 Następujące \"komputery cyfrowe\", \"zespoły elektroniczne\" i urządzenia im towarzyszące oraz specjalnie dla nich przeznaczone elementy:
\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - 5047 - UWAGI:

\n
1.Pozycja 4A003 obejmuje: a. procesory wektorowe, b. procesory tablicowe, c. cyfrowe procesory sygnafowe, d. procesory logiczne, e. urządzenia przeznaczone do \"udoskonalania obrazów\" , f. urządzenia przeznaczone do \"przetwarzania sygnafów\".
\n
2.Status kontroli \" komputerów cyfrowych \" i towarzyszących im urzą ­ dzeń wedfug pozycji 4A003 wynika ze statusu kontroli innych urządzeń lub systemów, pod warunkiem, że: a. \"Komputery cyfrowe\" lub towa rzyszące im urządzenia mają zasadnicze znaczenie dla dziafania tych innych urządzeń lub systemów; b. \"Komputery cyfrowe \" lub towa rzyszące im urządzenia nie są \"elementem o podstawowym znaczeniu\" tych innych urządzeń lub systemów; oraz UWAGA:
\n
1.Status kontroli urzą ­ dzeń do \" przetwarzania sygnafów\" lub \" udoskonalania obrazów\" specjalnie przeznaczonych do innych urządzeń, i ograniczonych funkcjonalnie do wymogów pracy tych urządzeń, wynika ze statusu kontroli tych innych urządzeń, nawet gdy wykracza to poza kryterium \"elementu o podstawowym znaczeniu\".
\n
2.W przypadku statusu kontroli \"komputerów cyfrowych \" lub towarzyszących im urządzeń, przeznaczonych do sprzętu telekomunikacyjnego patrz Kategoria 5 (część 1 Urządze­ nia telekomunikacyjne). c. \"Technologię \" w odniesieniu do \"komputerów cyfrowych\" i towarzyszących im urządzeń ujęto w pozycji 4E. a. \"Odporne na uszkodzenia\" dzięki specjalnej konstrukcji lub odpowiednio zmodyfikowa ne:
\n

Poz. 915 U WAGA: Dla celów pozycji 4A003.a. \" kom putery cyfrowe \" i towarzyszące im urządzenia nie są uważane za \"odporne na uszkodzenia\" dzięki specjalnej ko nstrukcji lub odpowiedniej mod yfikacji, jeżeli zastosowano w nich:

\n
1.Algorytmy wykrywania albo korekcji bfędów w \"pamięci operacyjnej\";
\n
2.Pofącze nie dwóch \"komputerów cyfrowych \" w jeden zespóf w taki sposób, że w razie awarii jednej z aktywnych jednostek centralnych dziafania związane z kontynuacją pracy systemu może przejąć bliźniacza jednostka cen tralna, znajdująca się do tej chwili na biegu jafowym;
\n
3.Pofączenie dwóch jednostek centralnych szynami danych albo poprzez wykorzystywaną wspólnie pamięć w celu umożli­ wienia danej jednostce centralnej wykonywania innych dziafań do czasu awarii drugiej jednostki centralnej, co spowoduje przejęcie wszystkich prac zwią ­ zanych z funkcjonowaniem syste mu przez pierwszą jednostkę cen~ralną; lub 4. Synchron izację dwóch jedno stek centralnych za pomocą \"oprogramowania \" w taki sposób, że jedna z nich rozpoznaje awarię drugiej i przejmuje w takiej sytuacji jej zadania. b. \"Komp utery cyfrowe\" o \"teoretycznej mocy ko mbinowanej \" (CTP) powyżej 2000 milionów te o retycznych operacji kombinowanych na sekun dę (Mtops); c. N astępujące \"zespoły elektroniczne\" specja lnie przeznaczone albo zmodyfikowane w ce lu po lepszen ia mocy obliczeniowej poprzez agregację \"elementów obliczeniowych\" w tak i sposób, że \"teoretyczna moc kom binowana\" agregatu przekracza wartości g raniczne uj ęte w pozycji 4A003.b.;
\n

UWAGI: 1. Pozycja 4A003.c. odnosi się wyfącznie do \" zespofów elektronicznych\" i programowanych pofą­ czeń, kt órych moc obliczeniowa nie wykracza poza wartości graniczne określone w pozycji 4A003.b ., w przypadku ich dostarczania jako \"zespofy elektron iczne \" w stanie rozfożonym. Pozycja ta nie dotyczy \"zespofów elektronicznych\", które ze wzglę­ d u na charakter swojej konstrukcji nie mogą z natury rzeczy być wykorzystywane jako urządzenia Dziennik Ustaw Nr 142 - 5048- towarzyszące, ujęte w pozycji 4A003.d., 4A003.e. lub 4A003.f.

\n
2.Pozycja 4A003.c. nie obejmuje kontrolą \"zespofów elektronicznych\" specjalnie przeznaczonych do wyrobu albo rodziny wyrobów, których maksymalna konfiguracja nie wykracza poza ograniczenia podane w pozycji 4A003.b. d. Układy akceleratorów graficznych albo koprocesory graficzne o \"szybkości przetwarzania trójwymiarowej grafiki wektorowej\" powyżej 3000000; e. Urządzenia do przetwarzania analogowo-cyfrowego o parametrach wykraczających poza wartości graniczne określone w pozycji 3A001.a.5; jazdów nośnych wymienionych w pozycji 9A004 lub rakiet meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.
\n

UWAGA: Pozycja ta dotyczy wyfącznie takich sytuacji, w których urządzenie jest dostarczane z oprogramowaniem wymienionym w pozycjach 70103 lub 90103.

\n

48 4C 40 40002 \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do wspomagania \"technologii\" ujętych w pozycji 4.E;

\n

40003 Następujące \"oprogramowanie\" specjalne: a. \"Oprogramowanie\" systemu operacyjnego, programy narzędziowe i kompilatory do opracowywania \"oprogramowania\" specjalnie przeznaczone do urządzeń do \"wielostrumieniowego przetwarzania danych\" na \"kod źródłowy\"; b. \"Systemy eksperckie\" lub \"oprogramowanie\" do mechanizmów dedukcji w \"systemach eksperckich\", zapewniające obie poniższe cechy charakterystyczne:

\n
1.Reguły zależności od czasu; oraz 2. Elementarne środki do obsługi charakterystyk czasowych reguł działania i faktów; c. \"Oprogramowanie\" o cechach lub możliwo­ ściach realizacji funkcji wykraczających poza ograniczenia wymienione w pozycjach Kategorii 5, część 2 (Ochrona Informacji); d. Systemy operacyjne specjalnie przeznaczone do urządzeń do \"przetwarzania w czasie rzeczywistym\", gwarantujące całkowity czas opóźnienia reakcji na przerwanie poniżej 20 mikrosekund. dzeń zapewniających pofączenia wewnętrzne (np. tablice pofączeń, szyny) ani urządzeń fączących o charakterze pasywnym.
\n

Następujące komputery i specjalnie do nich przeznaczone urządzenia towarzyszące, \"zespoły elektroniczne\" i elementy dla nich: a. \"Komputery z dynamiczną modyfikacją zestawu procesorów\"; b. \"Komputery neuronowe\"; c. \"Komputery optyczne\".

\n

4A101 Komputery analogowe, \"komputery cyfrowe\" lub cyfrowe analizatory różniczkowe, różne od wymienionych w pozycji 4A001.a .1., zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi lub podobnymi i specjalnie skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do użycia w kosmicznych pojazdach nośnych wymienionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104.

\n

4A102 \"Komputery hybrydowe\" specjalnie skonstruowane do modelowania, symulowania lub integrowania konstrukcyjnego kosmicznych po- Oprogramowanie UWAGA: Status kontroli \"oprogramowania\" do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użyt­ kowania\" urządzeń opisanych w innych kategoriach jest związany z odpowiednią kategorią. Status kontroli \"oprogramowania\" do urządzeń opisanych w niniejszej kategorii jest 40001 \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowania\" urzą­ dzeń, materiałów lub \"oprogramowania\" uję­ tych w pozycji 4A001 do 4A004 lub 4D;

\n

UWAGA: Pozycja 4A003.g. nie dotyczy urzą­ 4A004 Materiały związany z tą kategorią· UWAGA: Dla celów pozycji 4AOO.3. f. przez g. Urządzenia specjalnie opracowane w taki sposób, że zapewniają połączenia zewnętrz­ ne \"komputerów cyfrowych\" lub towarzyszących im urządzeń, umożliwiające wymianę danych z szybkościami przekraczającymi 80 Mbajtów na sekundę.

\n

Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Żadne.

\n

Żadne. f. Urządzenia, w których skład wchodzą \"terminalowe instalacje interfejsowe\" o parametrach wykraczających poza wartości graniczne określone w pozycji 5A001.b.3. termin \"terminalowe instalacje interfejsowe\" należy rozumieć fącza i inne interfejsy komunikacyjne \"Iokalnej sieci komputerowej\". Interfejsy \" lokalnej sieci komputerowej\" są analizowane jako \"sterowniki dostępu do sieci\".

\n

Poz. 915 4E Technologia 4E001 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Technologii do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytko­ wania\" urządzeń lub \"oprogramowania\" uję­ tych w pozycji 4A albo 4D.

\n

Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 5049- UWAGA TECHNICZNA dat. \" TEORETYCZNEJ MOCY KOMBINOWANEJ\" (CTP) Skróty stosowane w niniejszej uwadze technicznej \"CE\" \"element obliczeniowy\" (typowo, jednostka arytmetyczno-logiczna) FP zmienny przecinek (floating point) stały przecinek (fixed point) XP t czas wykonania XOR nierównoważność CPU jednostka centralna TP teoretyczna moc obliczeniowa (pojedynczego \"CE\") \"CTP\" \"teoretyczna moc kombinowana\" (Composite Theoretical Performance) (wielu \"CE\") R efektywna szybkość obliczeniowa WL długość słowa L współczynnik poprawkowy długości słowa Czas wykonania \"t\" wyraża się w mikrosekundach, natomiast TP i \"CTP\" w milionach teoretycznych operacji na sekundę (Mtops), a WL - w bitach.

\n

Omówienie sposobu obliczania \"CTP\": \"CTP\" jest miarą mocy obliczeniowej wyrażaną w Mtops. W celu obliczenia \"CTP\" pewnego zespołu (agregatu) \"CE\" należy wykonać czynności podzielone na następujące trzy etapy:

\n
1.Obliczyć efektywną szybkość obliczeniową R każde­ go \"CE\";
\n
2.Skorygować uzyskaną efektywną szybkość obliczeniową (R) za pomocą współczynnika poprawkowego długości słowa, dzięki czemu uzyska się Moc Teoretyczną (TP) każdego \"CE\";
\n
3.W przypadku istnienia więcej niż jednego \"CE\" połączyć wszystkie wynikowe Tp, uzyskując w wyniku \"CTP\" całego danego układu.
\n

Szczegółowe informacje na temat podanych etapów postępowania zamieszczono dalej.

\n

UWAGA 1: W przypadku agregatów zlożonych z wielu \"CE\", posiadających podsystemy zarówno z pamięcią dzieloną, jak i niedzieloną, obliczanie \"CTP\" odbywa się na zasadzie hierarchicznej, w dwóch etapach: po pierwsze grupuje się \"CE\" z podsystemami pamięci dzielonej, a następnie oblicza się \"CTP\" dla danych grup stosując taką metodę obliczeń, jak dla wielu \"CE\" z pamięcią niedzieloną.

\n

UWAGA 2: W obliczeniach \"CTP\" nie uwzględnia się \"CE\" o zastosowaniu ograniczonym do obslugi funkcji wejścia/wyjścia i peryferyjnych (np. napędów dyskowych, sterowników komunikacyjnych i wyświetlaczy obrazowych).

\n

Uwaga techniczna dot. \"CTP\":

\n

W podanej poniżej tabeli przedstawiono sposób liczenia efektywnej szybkości obliczeniowej (R) dla każdego \"CE\":

\n

Etap 1: efektywna szybkość obliczeniowa R:

\n

Dla \"elementów obliczeniowych\" mających Uwaga: Obliczenia przeprowadza się dla każdego \"CE\" niezależnie Efektywna szybkość obliczeniowa, R 1 3 x txp dod W razie braku dodawania należy wykorzystać tylko XP (R xp ) 1 txp mnoź w razie braku zarówno dodawania, jak i mnożenia należy wykorzystać najszybszą dostępną operację arytmetyczną 1 3 x txp patrz uwagi X i Z tylko FP (R fp ) max [ łtp ~Od łtp1mnoż ' patrz uwagi X i Y zarówno Fp, jak i XP (R) obliczyć obie Rxp , Rfp ) Dziennik Ustaw Nr 142 - Poz. 915 5050- w przypadku prostych procesorów logicznych gdzie t jest czasem wykonania instrukcji XOR albo w przybez implementacji żadnej z wymienionych ope- padku 109 sprzętu logicznego bez implementacji XOR, czasem racji arytmetycznych najszybszej prostej operacji logicznej 1 Patrz uwagi X i Z 3 x tlog dla specjalnych procesorów logicznych, nie realiR = R' x WL/64 z wymienionych operacji arytmetycznych i logicznych gdzie R' jest liczbą wyników na sekundę, WL jest liczbą bitów, na której jest realizowana operacja logiczna, natomiast 64 jest współczynnikiem normalizacji do operacji wykonywanych na 64 bitach zujących żadnej Uwaga techniczna dot. \"erp\":

\n

Uwaga W: Wprzypadku wielu \"CE\" dziafających wtrybie potokowym, zdolnych do wykonania do jednej operacji arytmetycznej lub logicznej na każdy cykl zegara po zapefnieniu trybu potokowego, można ustalić szybkość obliczeniową trybu potokowego. Efektywną szybkością obliczeniową (R) dla każdego takiego \"CE\" jest największa szybkość w trybie potokowym lub szybkość realizacji obliczeń w trybie niepotokowym.

\n

Uwaga X: Dla \"CE\" realizujących wielokrotne operacje arytmetyczne specjalnego typu w pojedynczym cyklu (np. dwa dodawania na cykl lub dwie identyczne operacje na cykl) czas realizacji t określa się zależnością: t_ czas cvklu

\n
-liczba identycznych operacji arytmetycznych na cykl maszyny \"CE\" wykonujące różne typy operacji arytmetycznych lub logicznych podczas pojedynczego cyklu maszynowego należy traktować jako wielokrotne oddzielne \"CE\" dziafające równocześnie (np . \"CE \" wykonujący dodawanie i mnożenie podczas jednego cyklu należy traktować jako dwa \"CE\", raz jako wykonujący dodawanie w jednym cyklu i po raz drugi jako wykonujący mnożenie w drugim cyklu).
\n

W przypadku wykonywania przez pojedynczy \"CE\" zarówno dziafania na skalarach, jak i na wektorach, należy wybrać krótszy z czasów realizacji.

\n

Uwaga Y: W przypadku braku implementacji dodawania FP (zmiennoprzecinkowego) lub mnoże­ nia Fp, natomiast wykonywania przez dany \"CE\" dzielenia FP:

\n

1 Rfp=---tfp dzielenia W przypadku realizacji przez dany \"CE\" odwrotności Fp, ale bez możliwości realizacji dodawania Fp, mnożenia FP lub dzielenia Fp, wartość Rfp wyznacza się z zależności:

\n

1 RfP=----tfp odwrotności W razie braku implementacji wszystkich wymienionych instrukcji efektywna moc FP wynosi O.

\n

Uwaga Z: W prostych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje pojedyncze dziafanie logiczne na nie więcej niż dwóch operandach o danej dfugości. W zfożonych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje wiele dziafań logicznych na dwóch lub więcej operandach, wskutek czego powstaje jeden lub więcej wyników.

\n

Szybkości obliczeniowe należy obliczać dla wszystkich możliwych dfugości operandów z uwzględnieniem zarówno operacji potokowych (jeżeli są możliwe), jak i operacji niepotokowych, dla instrukcji wykonywanych najszybciej i dla każdej dfugości operandu w oparciu o następujące zasady:

\n
1.Operacje potokowe lub typu rejestr-rejestr. Z wykluczeniem bardzo krótkich czasów wykonania dla operacji na z góry określonym operandzie lub operandach (na przyktad, mnożenie przez O lub 1).
\n

W razie braku implementacji operacji typu rejestr-rejestr, postępować wedfug punktu (2).

\n
2.Szybsze operacje typu rejestr-pamięć albo pamięć-rejestr; w razie braku również takich operacji, postępować wedfug punktu (3).
\n
3.Operacje typu pamięć-pamięć.
\n

W każdym wymienionym powyżej przypadku należy skorzystać z najkrótszego czasu wykonania potwierdzonego przez producenta.

\n

Etap 2: TP dla każdej możliwej długości operandu WL:

\n

Skorygować szybkość efektywną R (lub R') za pomocą współczynnika poprawkowego L w następujący sposób: na długość słowa Dziennik Ustaw Nr 142 - TP= R x L gdzie L= [--.!..3 + WL ) 96 Uwaga: Używana w tych obliczeniach dtugość stowa WL jest dtugością operandu w bitach. (W przypadku gdy w operacji używane są operandy o różnych dtugościach, należy wybrać stowo o największej dtugości).

\n

Dla celów obliczania \"CTP\", za jeden \"CE\" . o dtugości stowa (WL) równej liczbie bitów w przedstawieniu danych (zazwyczaj 32 lub

\n
64), uważa się kombinację mantysy ALU i wyktadnika ALU dla procesora zmiennoprzecinkowego albo jedność.
\n

Korekcja tego typu nie znajduje zastosowania do wyspecjalizowanych procesorów logicznych, w których nie są realizowane instrukcje XOR.

\n

W takim przypadku TP=R.

\n

Wybrać maksymalną wartość wynikową TP dla: każdego XP - tylko \"CE\" (R x p ); każdego FP - tylko \"CE\" (R fp ); każdego kombinowanego FP i XP \"CE\" (R); każdego prostego procesora logicznego bez żadnej im- plementacji wymienionych operacji arytmetycznych; oraz każdego specjalnego procesora logicznego nie wykonującego żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych ani logicznych.

\n

Etap 3: \"CTP\" dla agregacji \"CE\", włącznie z CPU:

\n

Dla CPU składającego się z pojedynczego \"CE\", \"CTP\" = TP [ dla \"CE\" wykonujących zarówno operacje stało-, jak i zmiennoprzecinkowe, TP = max (TPfp , TP xp ) ).

\n

Sposób obliczania \"CTP\" dla agregacji wielu \"CE\" działających równocześnie:

\n

Uwaga 1: W przypadku agregacji uniemożliwiających równoczesne działanie wszystkich \"CE\" należy stosować tę konfigurację Poz. 915 5051 - możliwych \"CE\", która daje największą z możliwych \"CTP\" . Przed obliczeniem \"CTP\" całej kom binacji należy obliczyć TP każdego \"CE\" dla każdej teoretycznie możliwej wartości maksymalnej.

\n

UWAGA: W celu obliczenia możliwych kombinacji \"CE\" dziatających równocześnie należy wygenerować sekwencję instrukcji inicjującą operacje w wielu \"CE\", poczynając od najwolniejszego z nich (jest to taki element obliczeniowy, który wymaga największej liczby cykli do zakoń­ czenia swojego dziatania) i kończąc na najszybszym \"CE\". Możliwą kombinacją przy każdej sekwencji cyklu jest taka kombinacja elementów \"CE\", które dziatają podczas cyklu. W sekwencji instrukcji należy wziąć pod uwagę wszystkie ograniczenia sprzętowe i (lub) konfiguracyjne (architektura) dla operacji pokrywających się ze sobą.

\n

Uwaga 2: Pojedynczy układ scalony lub płytka może składać się z wielu \" CE\" .

\n

Uwaga 3: Zakłada się, że komputer może wykonywać równoczesne operacje w przypadku, gdy jego producent podaje w instrukcji użytkowa ­ nia lub innej, że komputer może pracować współbieżnie, równolegle lub wykonywać operacje albo działania równoczesne.

\n

Uwaga 4: Nie należy agregować wartości \" CTP \" dla kombinacji \" CE\" połączonych ze sobą i z innymi w \"lokalnych sieciach komputerowych\", Rozległych Sieciach Komputerowych (WAN), dzielonych wspólnych połą ­ czeniach (urządzeniach wejścia/wyjścia), sterownikach wejść/wyjść oraz we wszelk ich połączeniach komunikacyjnyc h implementowanych przez oprogramowan ie.

\n

Uwaga 5: Należy agregować wartości \"CE \" dla wieloelementowych układów \" CE \" specjalnie opracowanych w celu poprawy parametrów poprzez agregację, równoczesne dz i ałani e i kombinację w układzie z dzieleniem wspólnej pamięc i

\n
-lub typu wielokrotna pamięć/ \"CE\" - dzia łających równocześnie i z· wykorzystaniem specjalnie opracowanego sprzętu .
\n

Agregacji tego typu nie stosuje si ę do zespo łów opisanych w pozycji 4A003d \" CTP \" = TP, + C2 X TP 2 ... . + Cn x TPn ' gdzie TP są uszeregowane według wartośc i , przy czym TP, jest największa , TP 2 jest dru ga z kole i pod względem wa rtośc i, .... , a TPn jest najmniejszą z wartości TP. Cj są współ­ czynnikami wynikającymi z p rzepustowości połączeń pomiędzy CE, określonymi w sposób następujący :

\n

W przypadku wielu \" CE\" dzia ł aj ą cyc h równocześnie i korzystających ze wspólnej pa mięci:

\n

C2 = C3 = C4 = .... = Cn = 0,75.

\n

Uwaga 1: W przypadku gdy wartość \" CTP\" obliczona w podany powyżej sposób ni e przekracza 194 Mtops, do obliczania Cj moż na zastosować następujący wzór:

\n

C. = 0,75 I (mj1/2 (i=2, ... , n) gdzie m = liczba elementów \" CE \" lub grup \"CE\" o wspólnym dostępie , pod warunkiem , że 1. TP j każdej grupy lub grup \" CE \" nie jest wyższa od 30 Mtops;

\n
2.Elementy \"CE \" lub grupy elementów \"CE\" dzielą wspólny dostęp do pamięci operacyjnej [z wyjątkiem p a mięci podręcznej (cache)] za pośrednictwem pojedynczego kanału; oraz Dziennik Ustaw Nr 142 - 5052- Poz. 915 Sj = suma maksymalnych szybkości transmisji danych (w jednostkach Mbajty/s) dla wszystkich kanałów danych połączonych z i-tym elementem \"CE\" lub grupą elementów \"CE\" dzielących 3. W danym czasie tylko jeden element \"CE\" lub grupa elementów \" CE\" może używać takiego kanału.
\n

UWAGA: Nie dotyczy to pozycji ujętych w Ka tegorii 3.

\n

Uwaga 2: \"CE\" korzystają ze wspólnej pamię­ ci, jeżeli mają dostęp do wspólnego segmentu pamięci półprzewodniko­ wej. Może to być pamięć podręczna (cache), pamięć operacyjna albo inny rodzaj pamięci wewnętrznej.

\n

W tym przypadku nie uwzględnia się peryferyjnych jednostek pamięcio­ wych, takich jak stacje dysków, napędy taśm ani RAM-dyski.

\n

Dla wielokrotnych układów \"CE\" lub grup \"CE\" nie korzystających ze wspólnej pamięci, połączonych ze sobą jednym lub większą liczbą kanałów danych :

\n

Cj = 0,75 X kj (i = 2, ... ,32) (patrz uwaga poniżej) = 0,60 x kj (i = 33, ... , 64) = 0,45 x kj (i = 65, .. . , 256) = 0,30 x kj (i > 256).

\n

Wartość C j określa się w zależ­ ności od liczby elementów \"CE\", a nie liczby węzłów, gdzie kj = min (S/K r, 1), oraz Kr = współczynnik normalizujący do 20 Mbajtów/s. wspólną pamięć.

\n

W przypadku obliczania C j dla grupy elementów \"CE\", numer pierwszego \"CE\" w grupie wyznacza odpowiednią wartość graniczną dla Cj' Przykładowo, w agregacji grup składają­ cych się każda z 3 elementów \"CE\", grupa 22 będzie zawierała \"CE\" 64' \"CE\" 65 i \"CE\"66' Wła­ ściwą wartością graniczną dla Cj dla tej grupy będzie 0,60.

\n

Agregacja (elementów \"CE\" lub grup elementów \"CE\") powinna następować w kolejności od elementów najszybszych do najwolniejszych, tj.:

\n

TP, ~TP2 ~ ... ~TPn' oraz +, w przypadku TP j = TP j w kolejności od największego do najmniejszego; tj.: +,.

\n

Cj ~ Cj UWAGA: W przypadku gdy TPi dla elementu \"CE\" lub grupy elementów \"CE\" wynosi powyżej 50 Mtops, nie używa się wspófczynnika ki do elementów \"CE\" od 2 do 12; tj. Ci dla elementów\"CE\" 2 do 72 wynosi 0,75; / KATEGORIA 5 - TELEKOMUNIKACJA I \"OCHRONA INFORMACJI\"

\n

Część 1 TELEKOMUNIKACJA UWAGI:

\n
1.W pozycjach tej Kategorii ujęto status kon troli elementów, urządzeń \" laserowych \", urządzeń testujących i \"produkcyjnych\" oraz materiafów i \"oprogramowania\" do nich, przeznaczonych do urządzeń i systemów telekomunikacyjnych.
\n
2.\"Komputery cyfrowe\", towarzyszące im urządzenia lub\" oprogramowanie\", mające zasadniczy wpfyw na dziafanie i wspomaganie dziafań urządzeń telekomunikacyjnych przedstawionych w pozycjach dotyczących telekomunikacji w niniejszej kategorii, są traktowane jako elementy specjalnie opracowane, pod warunkiem, że są to modele standardowe dostarczane przez producenta na zamówienie klienta. Dotyczy to komputerowych systemów obsfugi, zarządzania, konserwacji, technicznych lub księgowych.
\n

SA1 Systemy, urządzenia i części:

\n

SA001 a. Dowolny typ urządzeń telekomunikacyjnych posiadający jedną z wymienionych poniżej . cech charakterystycznych lub właściwości albo realizujący jedną z wymienionych funkcji:

\n
1.Specjalnie zabezpieczone przed skutkami przejściowych zjawisk elektronicznych lub impulsu elektromagnetycznego, powstających w wyniku wybuchu jądrowe­ go;
\n
2.Specjalnie zabezpieczone przed promieniowaniem gamma, neutronowym lub jonizacyjnym;
\n
3.Specjalnie skonstruowane do eksploatacji w zakresie temperatur poza przedziałem od 218 K (-55°C) do 397 K (+124°C).
\n

UWAGA: Pozycja 5AOO 1.a.3. odnosi się wyfącznie do urządzeń elektronicznych.

\n

UWAGA: Pozycje 5A001.a.2. i 5A001.a.3. nie dotyczą urządzeń na pokfadach satelitów. b. Telekomunikacyjne urządzenia i systemy transmisyjne oraz specjalnie do nich opracowane elementy i osprzęt, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych albo właściwości lub realizujące jedną z wymienionych poniżej funkcji: - Dziennik Ustaw Nr 142 UWAGA: Telekomunikacyjnymi urządzenia­ mi transmisyjnymi są : a. Urządzenia sklasyfikowane jak poniżej albo ich kombinacje:

\n
1.Urządzenia radiowe (np. nadajniki, odbiorniki i nadajniki-odbiorniki);
\n
2.Urządzenia końcowe linii telekomunikacyjnych;
\n
3.Pośrednie urządzenia wzmacniające;
\n
4.Wzmacniaki;
\n
5.Regeneratory;
\n
6.Szyfratory (transkodery);
\n
7.Multipleksery (wfącznie ze statystycznymi);
\n
8.Modulatory- demodulatory (modemy); (patrz 9. Transmultipleksery CCITT Rec. G.701);
\n
10.Przefącznice cyfrowe \"ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci \";
\n
11.\" Bramki\" i mostki;
\n
12.\"Jednostki dostępu do nośni­ ków informacji \"; oraz b. Urządzenia przeznaczone do używania w jedno- lub wieloka nafowej komunikacji za pośred­ nictwem:
\n
1.Przewodów (linia);
\n
2.Kabli koncentrycznych;
\n
3.Kabli światfowodowych;
\n
4.Fal elektromagnetycznych; lub 5. Fal akustycznych rozchodzą­ cych się pod wodą;
\n
1.W których zastosowano technikę cyfrową, włącznie z cyfrowym przetwarzaniem sygnałów analogowych , oraz przeznaczone do pracy z \"szybkością przesyłania danych cyfrowych\" na najwyższym poziomie multipleksowania powyżej 45 Mbitów/s lub z \"całkowitą szybkością przesyłania danych cyfrowych \" powyżej 90 Mbitów/s;
\n

UWAGA: Pozycja 5A001.b.1. nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie przeznaczonych do zabudowania i dziafania w dowolnych systemach satelitarnych do użytku cywilnego.

\n

2.

\n

Będące systemami komunikacji pod wodnej pos i adającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Akustyczną częstotliwość nośną spoza przedziału 20 kHz do 60 kHz; ł Poz. 915 5053- b. Działające w zakresie elektromagnetycznej częstotliwości nośnej poniżej 30 kHz; c. Działające z wykorzystaniem techniki sterowania za pomocą wiązki elektronów;

\n
3.Będące urządzeniami wyposażonymi w jeden z poniżej wymienionych elementów: a. \"Sterowniki dostępu do sieci\" i towarzyszące im wspólne urządzenia o \"szybkości przesyłania danych cyfrowych\" powyżej 156 Mbitów/s. b. \" Sterowniki kanałów komunikacyjnych\" z wyjściem cyfrowym o \"szybkości przesyłania danych\" powyżej 2,1 Mbitów/s na kanał;
\n

UWAGA: W przypadku gdy dowolne urządzenie nie objęte kon- trolą jest wyposażone w \" sterownik dostępu do sieci\", to nie może być wyposażone w żaden z typów interfejsów telekomunikacyjnych; z wyjątkiem: takich, które wymieniono, ale nie objęto kontrolą, wedfug pozycji 5A001.b.3.

\n
4.Urządzenia wyposażone w \"Iaser\" i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych : a. Długość fali nośnej powyżej 1000 nm; b. Działanie oparte na technikach analogowych i szerokość pasma powyżej 45 MHz;
\n

UWAGA : Pozycja 5A001.b.4.b. nie obejmuje kontrolą systemów telewizji przemysfowej. c. Działanie oparte na technikach przesyłania spójnej wiązki optycznej lub detekcji spójnej wiązki optycznej (zwane również heterodynowymi albo homodynowymi technikami optycznymi); d. Działanie oparte na technikach multipleksowania długości fali; lub e. Możliwość wykonywania czynności \" wzmacniania optycznego\";

\n
5.Będące urządzeniami radiowymi z czę­ stotliwościami, wejściową lub wyjścio­ wą, powyżej 31 GHz;
\n

UWAGA: Pozycja 5A001 .b.5. nie obejmuje kontrolą urządzeń przeznaczonych lub zmodyfikowanych do pracy w pasmach przydzielonych przez ITU. t Dziennik Ustaw Nr 142 - 5054 - 6. Będące urządzeniami radiowymi, w których zastosowano jedną z poniżej wymienionych technik: a. Technikę kwadraturową modulacji amplitudowej (QAM) powyżej poziomu 4, jeżeli \"całkowita szybkość transmisji cyfrowej\" jest wyższa niż 8,5 Mbitów/s; b. Technikę kwadraturową modulacji amplitudowej (QAM) powyżej poziomu 16, jeżeli \"całkowita szybkość transmisji cyfrowej\" jest równa lub mniejsza niż 8,5 Mbitów/s; lub c. Inne techniki modulacji cyfrowej, oraz posiadające \"wydajność widmową\" powyżej 3 bitów/s/Hz.

\n

UWAGI:

\n
1.Pozycja 5A001.b.6. nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie przeznaczonych do zabudowania i dziatania w dowolnych systemach satelitarnych do użytku cywilnego.
\n
2.Pozycja 5A001.b.6. nie obejmuje kontro lą przekaźnikowych urządzeń radiowych przeznaczonych do pracy w przydzielonych przez ITU pasmach: a. 1. Poniżej 960 MHz; lub 2. Pracujących z \"catkowitą szybkością transmisji cyfrowej\" poniżej 8,5 Mbitów/s; oraz b. Posiadających \" wydajność widmową\" poniżej 4 bitów/s/Hz;
\n
7.Będące urządze niam i radiowymi działa­ jącymi w paśmie od 1,5 do 87,5 MHz, posiadającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Zastosowanie technik adaptacyjnych zapewniających tłumienie sygnałów zakłócających na poziomie powyżej 15 dB. b. Spełnianie obu poniżej wymienionych warunków:
\n
1.Automatyczne przewidywanie i wybieranie częstotliwości oraz \"całkowite szybkości przesyłania danych cyfrowych\" umożliwiające na kanał, optymalizację przesyłania; i 2. Zaopatrzenie w liniowy wzmacniacz mocy umożliwiający równoczesną obróbkę wielu sygnałów przy mocy wyjściowej 1 kW lub wyższej w zakresie częstotliwości 1,5 do 30 MHz albo 250 W lub wyż­ szej w zakresie częstotliwości 30 do 87,5 MHz, w zakresie \"pasma chwilowego\" o szerokości Poz. 915 jednej oktawy lub większej i z wyjsClem o zniekształceniu harmonicznym lub innym lepszym niż -80 dB;
\n
8.Będące urządzeniami radiowymi, w których zastosowano techniki \"widma rozproszonego\" albo \"możliwość regulacji częstotliwości\" (rozrzucanie częstotli ­ wości), posiadającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Programowane przez użytkownika kody rozpraszania; lub b. Całkowitą szerokość przesyłanego pasma 100 lub więcej razy większą od szerokości pasma dowolnego z kanałów informacyjnych i powyżej 50 kHz;
\n

UWAGA: Pozycja 5A001.b.8.b. nie obejmuje kontrolą urządzeń radiowych sieci telekomunikacyjnych w uktadzie terytorialnym (komórkowym) dziatających w zakresie pasm cywilnych.

\n

UWAGA: Pozycja 5A001.b.8. nie obejmuje kontrolą urządzeń o mocy wyjściowej 1 W lub mniejszej.

\n
9.Będące sterowanymi cyfrowo odbiornikami radiowymi, które jednocześnie: a. Posiadają powyżej 1000 kanałów; b. Charakteryzują się \"czasem przełą­ czania częstotliwości\" poniżej 1 ms; c. Umożliwiają automatyczne przeszukiwanie lub skanowanie części widma fal elektromagnetycznych; d. Umożliwiają identyfikację odbiera nych sygnałów lub typu nadajnika.
\n

UWAGA: Pozycja 5A001.b.9. nie obejmuje kontrolą urządzeń komórkowych radiowych sieci telekomunikacyjnych, dziatających w zakresie pasm cywilnych.

\n
10.Będące urządzeniami wykorzystującymi funkcje cyfrowego \"przetwarzania sygnałów\" dla realizacji kodowania mowy z szybkością poniżej 2 400 bitów/s. c. Urządzenia przełączające \"ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci\" oraz towarzyszące im systemy urządzeń sygnało­ wych, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych albo wła­ ściwości lub realizujące jedną z wymienionych funkcji; oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy i osprzęt:
\n

UWAGA: Multipleksery statystyczne z cyfrowym wejściem i wyjściem, umożli­ wiające przefączanie, są uważane urządzenia przefączające \"ze za Dziennik Ustaw Nr 142 - 5055- sterowaniem zaprogramowanym w pamięci\". mi, działającymi na odcinek światło­ wodu o długości od 0,5 do 3 m, przeciągany z szybkością 2 do 5 m/s po- 1. \"Zwykła łączność kanałowa\", działająca zarówno w sprzężonym, jak i quasi-sprzężonym trybie pracy; między 5. Będące urządzeniami, w których zastosowano techniki \"przesyłania w trybie asynchronicznym\" (\"ATM\"); przeprowadzić równoważnych większe ;

\n

Uwaga techniczna:

\n

Test kontrolny: prowadzona na bieżą­ co (on line) albo poza linią produkcyjną (off-line) kontrola zupełna, podczas której wszystkie włókna są obciążane dynamicznie z góry określonymi naprężeniami rozciągający- według norm kra- jowych.

\n
2.Kable światłowodowe i akcesoria przeznaczone do pracy pod wodą;
\n

UWAGA: Pozycja 5A001.d.2. nie obejmuje kontrolą kabli i akcesoriów dla standardowej telekomunikacji cywilnej.

\n

N.B.: Dla światłowodowych penetratorów do oglądania kadłubów statków lub łączników do nich sprawdź także 8A002.c. e. \"Elektronicznie sterowane fazowane układy antenowe\" pracujące w zakresie częstotli­ wości powyżej 31 GHz;

\n

UWAGA: Pozycja 5AOO 1.e. nie obejmuje kontrolą \"elektronicznie sterowanych fazowanych układówanteno­ wych\" do systemów kontroli lądo­ wania oprzyrządowanych według wymagań norm Organizacji Lotnictwa Cywilnego (lCAO) obejmujących mikrofalowe systemy kontroli lądowania (MLS).

\n

5A101 Urządzenia do zdalnego przekazywania wyników pomiarów i do zdalnego sterowania znajdujące zastosowanie w \"pociskach rakietowych\".

\n

UWAGA: Pozycja 5A 101 nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie przeznaczonych do zdalnego sterowania modelami samolotów, statków lub pojazdów i wytwarzających pole elektryczne o natężeniu nie przekraczającym 200 mikrowoltów na metr wodległo­ ści 500 metrów. d. Następujące światłowodowe kable komunikacyjne, światłowody oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy i akcesoria:

\n
1.Światłowody lub kable światłowodowe o długości ponad 50 m posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych: a. Przeznaczone do działania na jednym rodzaju fal elektromagnetycznych; lub b. W przypadku światłowodów, określone przez producenta jako odporne na naprężenia rozciągające podczas testu kontrolnego 2 x 109 N/m 2 lub nawijającymi tura otoczenia powinna wynosić 293 K (20°C), a wilgotność względna 40%.
\n

UWAGA: Testy kontrolne można UWAGA: Pozycja 5A001.c.2. nie obejmuje kontrolą komutatorów pakietów ani routerów z portami albo łączami o parametrach nie przekraczających wartości podanych w pozycji 5A001.c.3.

\n
4.\"Komutacja optyczna\"; bębnami o średnicy około 150 mm. Tempera- 2. \"Adaptacyjny dynamiczny wybór trasy\";
\n
3.Będące komutatorami pakietów, komu tatorami łączy oraz wybierakami marszruty (routerami) z portami albo łącza­ mi o parametrach przewyższających dowolną z podanych poniżej wartości : a. \"Szybkość przesyłania danych cyfrowych\" 2,1 Mbitów/s na kanał dla sterownika kanału komunikacyjnego; lub UWAGA: Pozycja 5A001.c.3.a. nie obejmuje kontrolą m u Itipleksowania zespołów łą­ czy złożonych wyłącznie z kanałów komunikacyjnych nie objętych indywidualnie kontrolą według pozycji 5A001 .c.3.a. b. \"Szybkość przesyłania danych cyfrowych\" 156 Mbitów/s dla \"sterowników dostępu do sieci\" i towarzyszą­ cych mediów wspólnych;
\n

Poz. 915 5B1 Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne 5B001 a. Urządzenia i specjalnie przeznaczone do nich elementy i akcesoria, specjalnie przeznaczone do \"rozwoju\", \"produkcji\" i \"użytkowa­ nia\" urządzeń, materiałów, funkcji lub wła­ ściwości ujętych w pozycjach 5A001 , 5B001, 5C001, 50001 lub 5E001;

\n

UWAGA: Pozycja 58001.a . .nie obejmuje kontrolą urządzeń do obróbki świa­ tłowodów i \"półproduktów świa­ tłowodowych\", nie zawierających na wyposażeniu \"Iaserów\" pół­ przewodnikowych. • Dziennik Ustaw Nr 142 - 5056- 5C1 Materiały 5C001 Półprodukty szkła lub innych materiałów zoptymalizowanych do produkcji światłowodów objętych kontrolą według pozycji 5A001.d.

\n

501 Oprogramowanie 2. \"Technologie\" do \"rozwoju\" lub \"użyt­ kowania\" laserowych technik komunikacyjnych z możliwością automatycznego wykrywania i ustalania pochodzenia oraz śledzenia sygnałów i utrzymywania komunikacji w egzoatmosferze lub w środowisku podpowierzchniowym (podwodnym);

\n
3.\"Technologie\" przetwarzania i nakłada­ nia powłok na światłowody specjalnie przeznaczone do nadawania im odporności na działanie w środowisku wodnym;
\n

50001 a. \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowa­ nia\" urządzeń, funkcji lub właściwości obję­ tych kontrolą według pozycji 5A001, 58001 lub 5C001;

\n
4.\"Technologie\" do \"rozwoju\" urządzeń, w których stosowane są techniki \"Synchronicznej Hierarchii Cyfrowej\" (\"SDH\") lub \"Synchronicznych Sieci Optycznych\" (\"SONET\"); b. \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do wspierania \"technologii\" objętych kontrolą według pozycji 5E001;
\n
5.\"Technologie\" do \"rozwoju\" \"struktury przełączającej\" o parametrach przekraczających 64 000 bitów na sekundę na kanał informacyjny, z wyłączeniem wewnętrznych zintegrowanych połączeń cyfrowych komutatora; c. Następujące \"oprogramowanie\" specjalne:
\n
1.\"Oprogramowanie\", z wyłączeniem programów w postaci wykonywalnej maszynowo, specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do \"użytkowania\" cyfrowych urządzeń lub systemów łączności radiowej działają­ cych w układzie terytorialnym (komórkowym);
\n
6.\"Technologie\" do \"rozwoju\" systemów sterowania sieciami scentralizowanymi lub \"adaptacyjnego dynamicznego wyboru trasy\";
\n
2.\"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w taki sposób, żeby umożliwiało urządzeniom osią­ gnięcie tych cech charakterystycznych, funkcji lub właściwości, które są objęte kontrolą według pozycji 5A001 lub 58001;
\n
7.\"Technologie\" do \"rozwoju\" systemów radiowych sieci telekomunikacyjnych w układzie terytorialnym (komórkowym);
\n
8.\"Technologie\" do \"rozwoju\" szerokopasmowej \"Sieci Cyfrowej z Integracją Usług\" (\"ISDN\");
\n
3.\"Oprogramowanie\" umożliwiające odtworzenie \"kodu źródłowego\" \"oprogramowania\" wymienionego w pozycjach 5A001 lub 58001;
\n
9.\"Technologie\" do \"rozwoju\" technik QAM, do urządzeń radiowych, powyżej poziomu 4.
\n
4.\"Oprogramowanie\" inne niż w postaci wykonywalnej maszynowo, specjalnie przeznaczone do \"adaptacyjnego dynamicznego wyboru trasy\".
\n

N.B.: Dla \"oprogramowania\" dotyczącego \"przetwarzania sygnałów\" sprawdź również 40 i 60.

\n

5E1 Poz. 915 10. \"Technologie\" do \"rozwoju\" technik \"widma rozproszonego\" lub z \"możli­ wością regulacji częstotliwości\" (rozrzucanie częstotliwości).

\n

5E101 \"Technologie\" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowania\" urządzeń ujętych w pozycji 5A101.

\n

Technologia 5E001 a. Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użyt­ kowania\" (z wyłączeniem obsługi) urządzeń, funkcji, właściwości lub \"oprogramowania\" ujętych w pozycjach 5A001, 58001, 5C001 lub 5D001; b. Następujące technologie specjalne:

\n
1.\"Technologie\" \"niezbędne\" do \"rozwoju\" lub \"produkcji\" urządzeń telekomunikacyjnych specjalnie przeznaczonych do instalowania w satelitach; • Część 2 \"OCHRONA INFORMACJI\"
\n

UWAGA: W niniejszej Kategorii określono status kontroli urządzeń, \"oprogramowania\", systemów, sposobów wykorzystania specjalnych \"zespotów elektronicznych\", modutów, uktadów scalonych, elementów, technologii lub funkcji opisanych w Kategorii 5, część 2 , nawet jeśli stanowią one elementy lub \"zespoty elektroniczne\" innych urządzeń . - Dziennik Ustaw Nr 142 5A2 5057 - Systemy, urządzenia i części:

\n

5A002 a. Następujące systemy, urządzenia, sposoby wykorzystania specyficznych \"zespołów elektronicznych\", moduły i układy scalone związane z \"ochroną informacji\" oraz inne specjalne elementy do nich:

\n

N.B. Dla celów kontroli urządzeń odbiorczych globalnych satelitarnych systemów nawigacji zawierających lub wykorzystują­ cych dekryptaż (np. GPS lub GLONASS) sprawdź także pozycję 7 A005.

\n
1.Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania \"kryptografii\" z wykorzystaniem technik cyfrowych do \"ochrony informacji\" ;
\n
2.Przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do realizacji funkcji kryptograficznych;
\n
3.Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania \"kryptografii\" z wykorzystaniem technik analogowych do \" ochrony informacji\";
\n

UWAGA: Pozycja 5A002.a.3. nie obejmuje kontrolą niżej wymienionych urządzeń :

\n
1.Urządzenia do szyfrowania pasmowego ze \"statym wzorcem \", nie posiadające więcej niż 8 pasm, w których transpozycje zmieniają się nie czę­ ściej niż raz na sekundę;
\n
2.Urządzenia do szyfrowania pasmowego ze \"statym wzorcem \", posiadające więcej niż 8 pasm, w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na dziesięć sekund;
\n
3.Urządzenia do szyfrowania za pomocą inwersji częstotliwo­ ści ze \"statym wzorcem \", w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na sekundę;
\n
4.Urządzenia symilograficzne (telegrafii kopiowej);
\n
5.Urządzenia radionadawcze dla ograniczonej liczby odbiorców;
\n
6.Cywilne urządzenia telewizyjne;
\n
4.Przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do wygaszania przypadkowego przekazywania sygnałów przenoszących tajne informacje;
\n

UWAGA: Pozycja 5A002.a.4. nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie opracowanych albo zmodyfikowanych z przeznaczeniem do wygaszania sygnatów ze względów zdrowotnych i bezpieczeństwa pracy.

\n

Poz. 915 5. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu wykorzystania technik kryptograficznych do generowania kodu rozpraszają­ cego dla \"widma rozproszonego\" lub kodu rozrzucającego (hopping) dla systemów z \"regulacją częstotliwości\";

\n
6.Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zapewnienia uwierzytelnionego albo wymagającego uwierzytelnienia \"wielopoziomowego systemu ochrony\" lub wyodrębnienia użytkownika na poziomie powyżej Klasy 82 według Kryteriów Oszacowania Poufnych Systemów Komputerowych (Trusted Computer System Evaluation Criteria - TCSEC) lub równoważnych;
\n
7.Instalacje kabli telekomunikacyjnych przeznaczone lub zmodyfikowane za pomocą elementów mechanicznych, elektrycznych lub elektronicznych w celu wykrywania niepowołanych podłączeń do systemów.
\n

UWAGA: Pozycja 5A002 nie obejmuje kontrolą: a. \"Inteligentnych kart osobistych\" lub specjalnie dla nich opracowanych urządzeń mających jedną z poniższych cech:

\n
1.Brak możliwości kodowania ruchu telegraficznego lub kodowania danych dostarczanych przez użytkownika albo pokrewnych funkcji zarządzania kluczem do nich; lub 2. Ograniczenie do stosowania w urządzeniach lub systemach wytączonych spod kontroli w punktach od 1 do 6 Uwagi do pozycji 5A002.a.3. lub w punktach od b. do h. niniejszej Uwagi; b. Urządzeń, w których zastosowano \"niezmienne\" techniki kompresji lub kodowania danych; c. Urządzeń odbiorczych dla stacji radiowych, ptatnej telewizji lub podobnych systemów telewizyjnych typu konsumenckiego o ograniczonym zasięgu, nie posiadających kodowania cyfrowego oraz w których kodowanie cyfrowe jest wykorzystywane tylko do funkcji audiowizyjnych lub zarządzających; d. Przewoźnych lub przenośnych radiotelefonów do zastosowań cywilnych, (np. do użytkowania w cywilnych systemach radiokomunikacji terytorialnej), w których nie ma możliwości szyfrowania przez abonentów końcowych (szyfrowa nie typu \"end-to-end\"); e. Funkcji rozszyfrowujących specjalnie opracowanych w ten sposób, że umożliwiają dziatanie \"oprogra- Dziennik Ustaw Nr 142 - 5058- mowania\" zabezpieczonego przed kopiowaniem, pod warunkiem, że użytkownik nie ma dostępu do funkcji rozszyfrowujących . f. Urządzeń kontroli dostępu, takich jak automatyczne terminale bankowe, samoobsfugowe drukarki zadaniowe lub terminale w punktach sprzedaży, chroniące hasfo lub osobisty numer identyfikacyjny (PIN) albo podobne dane w celu uniemożliwienia dostę­ pu do tych instalacji osobom nie upoważnionym, ale nie pozwalające na kodowanie plików ani tekstów, z wyjątkiem bezpośrednio związa­ nych z ochroną hasfa lub PIN; g. Urządzeń do identyfikacji danych, obliczających Kod Autentyczności Komunikatu (MAC) lub podobny wynik, uniemożliwiający zmianę tekstu, ale nie pozwalających na kodowanie danych, tekstu lub innych mediów różnych od niezbędnych do identyfikacji; h. Urządzeń kryptograficznych specjalnie skonstruowanych z przeznaczeniem do stosowania w maszynach do realizacji operacji bankowych lub gotówkowych, takich jak automatyczne terminale bankowe, samoobsfugowe drukarki zadaniowe lub terminale w punktach sprzedaży, przeznaczonych wyfącznie do tego typu b. Urządzenia pomiarowe specjalnie przeznaczone do oceny i analizy funkcji dotyczących \"ochrony informacji\" objętych kontrolą według pozycji 5A002 lub 5D002.
\n

5C2 502 Oprogramowanie 50002 a. \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowania\" urządzeń lub \"oprogramowania\" objętego kontrolą według pozycji 5A002, 58002 lub 5D002; b. \"Oprogramowanie\" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane w celu wspierania \"technologii\" objętych kontrolą według pozycji 5E002; c. Następujące \"oprogramowanie\" specjalne:

\n
1.\"Oprogramowanie\" mające właściwości, albo realizujące lub symulujące funkcje urządzeń objętych kontrolą według pozycji 5A002 lub 58002;
\n
2.\"Oprogramowanie\" do uwierzytelniania \"oprogramowania\" objętego kontrolą według pozycji 5D002.c.1.;
\n

UWAGA: Pozycja 50002 nie obejmuje kontrolą: a. \"Oprogramowania\" \"niezbędne­ go\" do \"użytkowania\" urządzeń nie objętych kontrolą na mocy uwagi do pozycji 5A002; b. \"Oprogramowania\" umożliwiają­ cego realizację dowolnej funkcji urządzeń wyfączonych z kontroli na mocy Uwagi do pozycji 5A002.

\n

Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne 58002 a. Urządzenia specjalnie przeznaczone do:

\n
1.Rozwoju urządzeń lub funkcji objętych kontrolą w pozycjach 5A002, 58002, 5D002 lub 5E002, w tym urządzeń pomiarowych lub do testowania;
\n
2.Produkcji urządżeń lub funkcji objętych kontrolą w pozycjach 5A002, 58002, 5D002 lub 5E002, w tym urządzeń pomiarowych, do testowania, napraw lub produkcji;
\n

KATEGORIA 6 - 6A Systemy, urządzenia i części Materiały Żadne. zastosowań;

\n

582 Poz. 915 5E2 Technologia 5E002 Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii, przeznaczone do \"rozwoju\", \"produkcji\" lub \"użytkowania\" urządzeń lub \"oprogramowania\" ujętych w pozycjach 5A002, 58002 lub 5D002.

\n

CZUJNIKI I LASERY UWAGA: Pozycja 6A001.a.1. nie obejmuje kontrolą:

\n

6A001 Czujniki akustyczne a. Następujące okrętowe systemy akustyczne, urządzenia albo specjalnie do nich przeznaczone elementy:

\n
1.Następujące systemy aktywne (nadajniki albo nadajniki-odbiorniki), urządzenia lub specjalnie do nich przeznaczone elementy: , ł a. sond do pomiaru gfębokości pracujących w pionie pod aparaturą, nie mających możliwości przeszukiwania w zakresie powyżej ±20°, których dziafanie jest ograniczone do pomiaru gfębokości wody, odlegfości do zanurzonych lub zatopionych obiektów albo do wykrywania fawic ryb; , Dziennik Ustaw Nr 142 - 5059- b. następujących ptaw lub staw akustycznych:
\n
1.akustycznych ptaw lub staw ostrzegawczych;
\n
2.sonarów impulsowych specjalnie przeznaczonych do przemieszczenia się lub powrotu do potożenia podwodnego. a. Systemy o szerokim zakresie przeszukiwania przeznaczone do badań batymetrycznych w celu sporządza­ nia map topograficznych dna morskiego, mające wszystkie poniższe cechy charakterystyczne:
\n
1.Przeznaczenie do dokonywania pomiarów pod kątem większym od 20° w stosunku do pionu;
\n
2.Przeznaczenie do pomiarów głę­ bokości większych niż 600 m, licząc od powierzchni wody;
\n
3.Przeznaczone do realizacji jednej z poniższych funkcji: a. Wprowadzanie wielu wiązek, z których co najmniej jedna ma rozwartość kątową poniżej 1,9°; lub b. Uzyskiwanie przeciętnej dokład­ ności pomiarów głębokości wody na przeszukiwanym obszarze w odniesieniu do poszczególnych pomiarów lepszej niż 0,3 %; b. Systemy do wykrywania lub lokalizacji obiektów posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych :
\n
1.Częstotliwość nośną poniżej 10 kHz;
\n
2.Poziom ciśnienia akustycznego powyżej 224 dB (co odpowiada 1 mikropaskalowi na 1 m) wodniesieniu do urządzeń z częstotliwo ­ ścią roboczą w paśmie od 10 kHz do 24 kHz włącznie;
\n
3.Poziom clsnlenia akustycznego powyżej 235 dB (co odpowiada 1 mikropaskalowi na 1 m) wodniesieniu do urządzeń z częstotliwo ­ ścią roboczą w paśmie od 24 kHz do 30 kHz;
\n
4.Kształtujące wiązki o kącie rozproszenia poniżej 1° względem dowolnej osi i posiadające częstbtli­ wość roboczą poniżej 100 kHz;
\n
5.Umożliwiające pomiar odległości do obiektów w zakresie powyżej 5 120 m ;
\n
6.Skonstruowane w ten sposób, że w normalnych warunkach pracy są wytrzymałe na ciśnienia na głębo­ kości większej niż 1000 m i są zaopatrzone w przetworniki : ł Poz. 915 a. z dynamiczną kompensacją ci śnienia; lub b. w których elementem przetwarzającym nie jest cyrkonian/tytanian ołowiu ; lub c. Reflektory akustyczne, włącznie z przetwornikami, wyposażon e w elementy piezoelektryczne, magnetostrykcyjne, elektrostrykcyjne, elektrodynamiczne lub hydrauliczne, działające indywidualn ie lub w odpowiedniej kombinacji zespołowej, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:
\n

UWAGI: 1. Status kontroli reflektorów akustycznych, wtącz­ nie z przetwornikami, specjalnie przeznaczonych do innych urządzeń, jest powiązany ze statusem kontroli tych innych urządzeń .

\n
2.Pozycja 6A001.a. 1.c. nie obejmuje kontrolą elektronicznych źródet kieru jących dźwięk tylko w pionie ani źródet mechanicznych (np. pistolety pow ietrzne lub parowe) lub chemicznych (np. materiaty wybuchowe).
\n
1.Gęstość mocy akustycznej w impulsie powyżej 0,01 mW/mm 2/Hz dla urządzeń pracujących w pa śmie częstotliwości poniżej 10 kHz;
\n
2.Gęstość mocy akustycznej ciągłej powyżej 0,001 mW/mm 2/Hz dla urządzeń pracujących w paśmie częstotliwości poniżej 10 kHz;
\n

Uwaga techniczna:

\n

Gęstość mocy akustycznej oblicza się dzieląc wyjściową moc akustyczną przez iloczyn pola powierzchni wypromieniowanej wiąz­ ki i częstotliwości roboczej.

\n
3.Skonstruowane w ten sposób, że w normalnych warunkach pracy są wytrzymałe na ciśnienia na głębo­ kości w i ększ ej niż 1000 m ; lub 4. Mające tłumienie listka bocznego emisji powyżej 22 dB; d. Systemy akustyczne, urządzenia albo specjalne elementy do określania położenia statków nawodnych lub pojazdów podwodnych skonstruowane z przeznaczeniem do:
\n

UWAGA: Pozycja 6A001.a.1.d. obejmuje: a. urządzenia, w których zastosowano koherentne \" przetwarzanie sygna- I - Dziennik Ustaw Nr 142 5060- fów\" pomiędzy dwiema lub większą liczbą boi kierunkowych a hydrofonem na statku nawodnym albo pojeździe podwodnym, b. urządzenia mające możli­ wosc automatycznego korygowania bfędów prędkości rozchodzenia się dźwięku w celu obliczenia pofożenia obiektu.

\n
1.Działania w zasięgu powyżej 1000 m i umożliwiające wyznaczanie położenia z dokładnością poniżej 10 m (wartość średnia kwadratowa) w przypadku pomiaru w zasięgu do 1000 m; lL!b 2. Wytrzymałe na ciśnienia na głębo­ kościach większych niż 1 000 m ;
\n
2.Następujące pasywne urządzenia i systemy (odbiorcze, współpracujące, albo nie, w normalnych zastosowaniach z oddzielnymi urządzeniami aktywnymi) oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy: a. Hydrofony (przetworniki) posiadają­ ce jedną z następujących cech charakterystycznych:
\n
1.Wyposażone w ciągłe, elastyczne czujniki lub zespoły złożone z dyskretnych elementów czujnikowych o średnicy lub długości poniżej 20 mm znajdujących się w odległości jeden od drugiego wynoszą­ cej poniżej 20 mm;
\n
2.Wyposażone w jeden z następują­ cych elementów czujnikowych : a. Światłowody; b. Polimery piezoelektryczne; lub c. Elastyczne, piezoelektryczne materiały ceramiczne;
\n
3.Czułość hydrofonów lepszą niż -180 dB na każdej głębokości bez kompensacji przyspieszeniowej;
\n
4.W przypadku przeznaczenia do pracy na głębokościach nie więk­ szych niż 35 m, czułość hydrofonów lepszą niż -186 dB z kompensacją przyspieszeniową;
\n
5.W przypadku przeznaczenia do normalnej pracy na głębokościach większych niż 35 m, czułość hydrofonów lepszą niż - 192 dB z kompensacją przyspieszeniową;
\n
6.W przypadku przeznaczenia do normalnej pracy na głębokościach większych niż 100 m, czułość hydrofonów lepszą niż -204 dB; lub 7. Przeznaczone do działania na głę­ bokościach większych niż 1 000 m; ł Poz. 915 Uwaga techniczna:
\n

Czufość hydrofonu definiuje się jako dwadzieścia logarytmów przy podstawie 10 ze stosunku napięcia skutecznego po sprowadzeniu do napięcia skutecznego 1 V, po umieszczeniu czujnika hydrofonowego, bez wzmacniacza, w polu akustycznych fal pfaskich o ciśnieniu skutecznym w wysokości 1 mikropaskala. Na przykfad, hydrofon o czufości -160 dB (po sprowadzeniu do poziomu 1 V na mikropaskal) daje w takim polu napięcie wyjściowe 10- 8 V, natomiast hydrofon o czufości -180 dB daje w takim samym polu napięcie wyjściowe tylko 1(,9 V.

\n

Zatem hydrofon o czufości -160 dB jest lepszy od hydrofonu o czufości -180 dB. b. Holowane zestawy hydrofonów akustycznych, mające jedną z następują­ cych cech:

\n
1.Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi poniżej 12,5 m;
\n
2.Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi od 12,5 m do 25 m i są przeznaczone albo możli­ we do zmodyfikowania z przeznaczeniem do działania na głęboko­ ściach większych niż 35 m; lub Uwaga techniczna:
\n

Wspomniana w pozycji 6A001.a.2.b.2. \"możliwość modyfikacji\" oznacza, że są zaopatrzone w elementy umożliwiające zmianę przewodów lub pofączeń w celu zmiany odlegfości pomiędzy grupami hydrofonów albo granicznych gfębokości roboczych. Do elementów takich zalicza się: zapasowe przewody w ilości przewyższającej o 10 % liczbę przewodów używanych, bloki umożliwiające zmianę odlegfości pomiędzy grupami hydrofonów lub wewnętrzne regulowane urządzenia limitujące gfębokość oraz urządzenia sterujące umożli­ wiające sterowanie więcej niż jedną grupą hydrofonów.

\n
3.Odległość pomiędzy grupami hydrofonów 25 m lub większą i są przeznaczone do działania na głę­ bokościach większych niż 100 m;
\n
4.Czujniki kursowe objęte kontrolą według pozycji 6A001.a.2.d.;
\n
5.Wyposażenie w sieci czujników ze wzmocnieniem podłużnym;
\n
6.Wyposażenie w układ zespołowy o średnicy mniejszej niż 40 mm; • Dziennik Ustaw Nr 142 - 7. Możliwość multipleksowania sygnałów grup hydrofonów i przeznaczenie do działania na głęboko­ ściach większych niż 35 m albo wyposażenie w regulowane lub demontowalne czujniki głębokości z przeznaczeniem do pracy na głę­ bokościach większych niż 35 m; lub 8. Wyposażenie w hyd rofony o wła ­ ściwośc i ach określonych w pozycji 6A001.a.2 .a.; c. Urządzenia przetwarzające, specjalnie przeznaczone do holowanych zestawów hydrofonów akustycznych posiadające użytkownika \"możliwość dzinie czasu lub częstotliwości, w tym analizę widmową oraz cyfrowe kształtowanie wiązki za pomocą szybkiego przekształcenia Fouriera lub innych przekształceń lub procesów. b. Urządzenia sonarowe z korelacją prędko­ ściową przeznaczone do pomiaru prędkości poziomej obiektu, na którym się znajdują, względem dna morza w przypadku odległo­ ści obiektu od dna powyżej 500 m.
\n

6A002 Czujniki optyczne N.B.: sprawdź także pozycję 6A102. a. Następujące detektory optyczne: dostępu UWAGA: Pozycja 6A002.a. nie obejmuje kontrolą elementów fotoelektrycznych wykonanych z germanu lub krzemu. do oprogramowania\" oraz możl i wość przetwarzania i korelacj i w funkcji czasu lub częstotliwo­ ści, włącznie z analizą spektralną, filtrowaniem cyfrowym i kształtowa­ niem wiązki za pomocą szybkiej transformaty Fouriera lub innych transformat lub procesów; posiadające d. Czujniki kursowe wszystkie z poniższych cech:

\n
1.Dokładność powyżej ±0,5°; oraz 2. Jedną z poniższych właściwości: a. Możliwość instalowania w ukła ­ dzie zespołowym i działania na głębokościach większych 1. Następujące detektory półprzewodniko­ we \"klasy kosmicznej\": a. Detektory półprzewodnikowe \"klasy kosmicznej\" posiadające wszystkie z wymienionych poniżej cech chara kterystycznych:
\n
1.Reakcja szczytowa w paśmie fal o długości powyżej 10 nm, ale poniżej 300 nm; i 2. W zakresie fal o długości powyżej 400 nm reakcja słabsza niż 0,1% reakcji szczytowej; b. Detektory półprzewodnikowe \"klasy kosmicznej\" posiadające wszystkie z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:
\n
1.Reakcja szczytowa w zakresie dłu­ gości fal powyżej 900 nm, ale poni żej 1200 nm; oraz 2. \"Stała czasowa\" reakcji 95 ns lub poniżej; lub c. Detektory półprzewodnikowe \"klasy kosmicznej\" posiadające reakcję szczytową w zakresie długości fal powyżej 1 200 nm, ale poniżej 30000 nm; niż 35 m albo wyposażenie w regulowane lub demontowalne czujniki głębokości z przeznaczeniem do pracy na głębokościach większych niż 35 m; lub b. Możliwość montażu na zewnątrz układów zespołowych i posiadanie zespołów czujników zdolnych do działania w zakresie 360 0 na głębokościach większych niż 35 m; e. Denne lub przybrzeżne układy kablowe mające jedną z poniższych cech:
\n
1.Obejmujące hydrofony z pozycji 6A001.a.2 .a.;
\n
2.Obejmujące multipleksowane sygnały grup hydrofonów, przeznaczone do działania na głębokości poniżej 35 m albo wyposażone w regulowane lub demontowalne czujniki głębokości, aby mogły działać na głębokości poniżej 35 m; lub 3. Wyposażenie w urządzenia przetwarzające , specjalnie przeznaczo- .
", "next": 239957}